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부품번호 | P7006BL 기능 |
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기능 | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||
제조업체 | UNIKC | ||
로고 | |||
P7006BL
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
60V 70mΩ @VGS = 10V
ID
3.8A
SOT-223
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Gate-Source Voltage
VGS ±20
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1,2
Avalanche Current
TA = 25 °C
TA = 70 °C
ID
IDM
IAS
3.8
3
25
16
Avalanche Energy3
EAS 12.8
Power Dissipation
TA = 25 °C
TA = 70 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
PD
TJ, Tstg
2
1.3
-55 to 150
UNITS
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
TYPICAL MAXIMUM
Junction-to-Ambient2
RqJA
60
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2The value of RθJA is measured with the device mounted on 1in2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air
environment with TA =25°C.
3L = 0.1mH, IAS = 16A, VDD = 50V, RG = 25 Ω, Starting TJ = 25°C.
UNITS
°C / W
REV 1.0
1 2013-11-25
P7006BL
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
REV 1.0
4 2013-11-25
4페이지 | |||
구 성 | 총 5 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
P7006BL | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
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