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EM48BM1684LBA 데이터시트 PDF




Eorex에서 제조한 전자 부품 EM48BM1684LBA은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 EM48BM1684LBA 자료 제공

부품번호 EM48BM1684LBA 기능
기능 512Mb Synchronous DRAM
제조업체 Eorex
로고 Eorex 로고


EM48BM1684LBA 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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EM48BM1684LBA 데이터시트, 핀배열, 회로
eorex
Revision History
Revision 0.1 (May. 2007)
- First release.
Revision 0.2 (May. 2008)..
- change package out-line spec :
from 12.5mm x 10.0mm
to 12.0mm x 10.0mm
Revision 0.3 (Aug. 2008)..
- change ICC spec :
ICC2N : 12 MA
ICC2Ns. : 5 MA
ICC3P : 2 MA
ICC3Ps. : 1 MA
ICC3N : 15 MA
ICC5 : 120 MA
Revision 0.4 (May. 2009)..
- Add -6 Speed product
EM48BM1684LBA
May. 2009
www.eorex.com
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EM48BM1684LBA pdf, 반도체, 판매, 대치품
eorex
EM48BM1684LBA
Pin Description (Simplified)
Pin
F2
G9
F3
H7,H8,J8,J7,J3,
J2,H3,H2,H1,G3,
H9,G2,G1
G7,G8
F8
F7
F9
F1/E8
A8,B9,B8,C9,C8,
D9,D8,E9,E1,D2,
D1,C2,C1,B2,B1,
A2
A9,E7,J9/
A1,E3,J1
A7,B3,C7,D3/
A3,B7,C3,D7
E2
Name
CLK
/CS
CKE
A0~A12
BA0, BA1
/RAS
/CAS
/WE
UDQM/LDQM
DQ0~DQ15
VDD/VSS
VDDQ/VSSQ
NC
Function
(System Clock)
Master clock input (Active on the positive rising edge)
(Chip Select)
Selects chip when active
(Clock Enable)
Activates the CLK when “H” and deactivates when “L”.
CKE should be enabled at least one cycle prior to new
command. Disable input buffers for power down in standby.
(Address)
Row address (A0 to A12) is determined by A0 to A12 level at
the bank active command cycle CLK rising edge.
CA (CA0 to CA9) is determined by A0 to A9 level at the read or
write command cycle CLK rising edge.
And this column address becomes burst access start address.
A10 defines the pre-charge mode. When A10= High at the
pre-charge command cycle, all banks are pre-charged.
But when A10= Low at the pre-charge command cycle, only the
bank that is selected by BA0/BA1 is pre-charged.
(Bank Address)
Selects which bank is to be active.
(Row Address Strobe)
Latches Row Addresses on the positive rising edge of the CLK
with /RAS “L”. Enables row access & pre-charge.
(Column Address Strobe)
Latches Column Addresses on the positive rising edge of the
CLK with /CAS low. Enables column access.
(Write Enable)
Latches Column Addresses on the positive rising edge of the
CLK with /CAS low. Enables column access.
(Data Input/Output Mask)
DQM controls I/O buffers.
(Data Input/Output)
DQ pins have the same function as I/O pins on a conventional
DRAM.
(Power Supply/Ground)
VDD and VSS are power supply pins for internal circuits.
(Power Supply/Ground)
VDDQ and VSSQ are power supply pins for the output buffers.
(No Connection)
This pin is recommended to be left No Connection on the
device.
May. 2009
www.eorex.com
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EM48BM1684LBA 전자부품, 판매, 대치품
eorex
EM48BM1684LBA
ICC6 DC CHARACTERISTICS
Symbol
TCSR
45°C
ICC6
Full Array
1/2 of Full
1/4 of Full
400
350
280
85/70°C
700
500
400
Units
uA
uA
uA
May. 2009
www.eorex.com
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