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PDF P092ABD Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | P092ABD | |
| Descripción | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
| Fabricantes | UNIKC | |
| Logotipo |  |
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P092ABD
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
25V 9.5mΩ @VGS = 10V
ID
63A
TO-252
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
VDS 25
Gate-Source Voltage
VGS ±20
Continuous Drain Current2
Pulsed Drain Current1
TC= 25 °C
TC= 100 °C
ID
IDM
63
40
180
Avalanche Current
IAS 29
Avalanche Energy
L=0.1mH
EAS
42
Power Dissipation
TC= 25 °C
TC= 100°C
PD
65
26
Junction & Storage Temperature Range
Tj, Tstg
-55 to 150
UNITS
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
Junction-to-Case
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Package limitation current is 30A.
SYMBOL
RqJC
TYPICAL MAXIMUM UNITS
1.9 °C / W
REV 1.0
1 2014/4/29
1 page  
P092ABD
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
*因为各家封装模具不同而外观略有所差异，不影响电性及Layout。
REV 1.0
5
2014/4/29
5 Page | ||
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| P092ABD | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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