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PDF P3504BD Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | P3504BD | |
| Descripción | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
| Fabricantes | UNIKC | |
| Logotipo |  |
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P3504BD
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
40V 40mΩ @VGS = 10V
ID
20A
TO-252
100% Rg tested
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
100% UIS tested
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
UNITS
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
VDS 40 V
VGS ±20 V
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
Avalanche Current
Avalanche Energy
TC = 25 °C
TC = 70 °C
L = 0.1mH
ID
IDM
IAS
EAS
20
16
A
60
20
20 mJ
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 70 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
PD
TJ, TSTG
30
20
-55 to 150
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
SYMBOL
RqJC
RqJA
TYPICAL
MAXIMUM
4.1
80
UNITS
°C / W
Ver 1.0
1 2013-4-10
1 page  
P3504BD
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Ver 1.0
5 2013-4-10
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| P3504BD | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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