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부품번호 | P45N02LDG 기능 |
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기능 | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||
제조업체 | UNIKC | ||
로고 | |||
전체 5 페이지수
P45N02LDG
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
25V 20mΩ @VGS = 10V
ID
32A
TO-252
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
VDS 25
Gate-Source Voltage
VGS ±20
Continuous Drain Current1
Pulsed Drain Current2
TC = 25 °C
TC = 100 °C
ID
IDM
32
20
110
Avalanche Current
IAS 23
Avalanche Energy
L = 0.1mH
EAS
27
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
PD
35
14
Operating Junction & Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-55 to 150
UNITS
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
Case-to-Heatsink
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Limited by package, Duty cycle 1%.
SYMBOL
RqJC
RqJA
RqCS
TYPICAL
0.7
MAXIMUM
3.6
75
UNITS
°C / W
Ver 1.1
1 2013-3-13
P45N02LDG
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Ver 1.1
4 2013-3-13
4페이지 | |||
구 성 | 총 5 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
P45N02LD | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | Niko-Sem |
P45N02LDG | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
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