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부품번호 | PB210BD 기능 |
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기능 | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||
제조업체 | UNIKC | ||
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전체 5 페이지수
PB210BD
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
100V
230mΩ @VGS = 10V
ID
10A
TO-252
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Gate-Source Voltage
VGS ±20
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
ID
IDM
10
6
40
Avalanche Current
IAS 18
Avalanche Engergy
L = 0.1 mH
EAS
16.5
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
PD
41
17
Operating Junction & Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-55 to 150
UNITS
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
SYMBOL
RqJC
RqJA
TYPICAL
MAXIMUM
3
62.5
UNITS
°C / W
Rev 1.2
1 2014/5/23
PB210BD
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Rev 1.2
4 2014/5/23
4페이지 | |||
구 성 | 총 5 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
PB210BC | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
PB210BD | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
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