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P3710BT 데이터시트 PDF




UNIKC에서 제조한 전자 부품 P3710BT은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 P3710BT 자료 제공

부품번호 P3710BT 기능
기능 N-Channel Enhancement Mode MOSFET
제조업체 UNIKC
로고 UNIKC 로고


P3710BT 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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P3710BT 데이터시트, 핀배열, 회로
P3710BT
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
100V
37mΩ @VGS = 10V
ID
31A
TO-220
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
VDS 100
Gate-Source Voltage
VGS ±20
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
ID
IDM
31
20
75
Avalanche Current
Avalanche Energy2
IAS 16
EAS 128
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
PD
78
21
Junction & Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-55 to 150
UNITS
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
Junction-to-Case
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Starting Tj = 25 °C,L= 1mH,VDD= 50V
SYMBOL
RqJC
TYPICAL
MAXIMUM UNITS
1.6 °C / W
REV 1.0
1 2017/1/16




P3710BT pdf, 반도체, 판매, 대치품
P3710BT
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
REV 1.0
4 2017/1/16

4페이지










P3710BT 전자부품, 판매, 대치품
P3710BT
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
REV 1.0
7 2017/1/16

7페이지


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