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P1006BTFS 데이터시트 PDF




UNIKC에서 제조한 전자 부품 P1006BTFS은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 P1006BTFS 자료 제공

부품번호 P1006BTFS 기능
기능 N-Channel Enhancement Mode MOSFET
제조업체 UNIKC
로고 UNIKC 로고


P1006BTFS 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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P1006BTFS 데이터시트, 핀배열, 회로
P1006BTF / P1006BTFS
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
60V 10mΩ @VGS = 10V
ID
47A
TO-220F
TO-220FS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
VDS 60
Gate-Source Voltage
VGS ±20
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TC= 25 °C
TC= 100 °C
ID
IDM
47
29
150
Avalanche Current
IAS 38
Avalanche Energy
L = 0.1 mH
EAS
72.7
Power Dissipation
TC= 25 °C
TC= 100°C
PD
48
19
Junction & Storage Temperature Range
Tj, Tstg
-55 to 150
UNITS
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
Junction-to-Ambient
Junction-to-Case
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
SYMBOL
RqJA
RqJC
TYPICAL
MAXIMUM
62.5
2.6
UNITS
°C / W
REV 1.0 1 2015/8/3




P1006BTFS pdf, 반도체, 판매, 대치품
P1006BTF / P1006BTFS
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
REV 1.0 4 2015/8/3

4페이지










P1006BTFS 전자부품, 판매, 대치품
P1006BTF / P1006BTFS
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
A. Marking Information
B. Tape&Reel Information:50pcs/Tube(2000pcs/Box)
REV 1.0 7 2015/8/3

7페이지


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