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부품번호 | P1006BTFS 기능 |
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기능 | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||
제조업체 | UNIKC | ||
로고 | |||
P1006BTF / P1006BTFS
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
60V 10mΩ @VGS = 10V
ID
47A
TO-220F
TO-220FS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
VDS 60
Gate-Source Voltage
VGS ±20
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TC= 25 °C
TC= 100 °C
ID
IDM
47
29
150
Avalanche Current
IAS 38
Avalanche Energy
L = 0.1 mH
EAS
72.7
Power Dissipation
TC= 25 °C
TC= 100°C
PD
48
19
Junction & Storage Temperature Range
Tj, Tstg
-55 to 150
UNITS
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
Junction-to-Ambient
Junction-to-Case
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
SYMBOL
RqJA
RqJC
TYPICAL
MAXIMUM
62.5
2.6
UNITS
°C / W
REV 1.0 1 2015/8/3
P1006BTF / P1006BTFS
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
REV 1.0 4 2015/8/3
4페이지 P1006BTF / P1006BTFS
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
A. Marking Information
B. Tape&Reel Information:50pcs/Tube(2000pcs/Box)
REV 1.0 7 2015/8/3
7페이지 | |||
구 성 | 총 9 페이지수 | ||
다운로드 | [ P1006BTFS.PDF 데이터시트 ] |
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
P1006BTF | N-Channel Field Effect Transistor | NIKO-SEM |
P1006BTF | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
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