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P9008HV 데이터시트 PDF




NIKO-SEM에서 제조한 전자 부품 P9008HV은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 P9008HV 자료 제공

부품번호 P9008HV 기능
기능 Dual N-Channel Field Effect Transistor
제조업체 NIKO-SEM
로고 NIKO-SEM 로고


P9008HV 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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P9008HV 데이터시트, 핀배열, 회로
NIKO-SEM
Dual N-Channel Enhancement Mode Field
P9008HV
Effect Transistor
SOP-8
Halogen-Free & Lead-Free
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
80 90mΩ
ID
5A
G : GATE
D : DRAIN
S : SOURCE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TA = 25 °C
TA = 70 °C
Avalanche Current
Avalanche Energy
L = 0.1mH
Power Dissipation
TA = 25 °C
TA = 70 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
VDS
VGS
ID
IDM
IAS
EAS
PD
Tj, Tstg
LIMITS
80
±25
5
4
25
22
25
2
1.28
-55 to 150
UNITS
V
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
TYPICAL
MAXIMUM
UNITS
Junction-to-Ambient
RJA
62.5 °C / W
Junction-to-Lead
RJL
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
35 °C / W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C, Unless Otherwise Noted)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
On-State Drain Current1
V(BR)DSS
VGS(th)
IGSS
IDSS
ID(ON)
STATIC
VGS = 0V, ID = 250A
VDS = VGS, ID = 250A
VDS = 0V, VGS = ±25V
VDS = 64V, VGS = 0V
VDS = 60V, VGS = 0V, TJ = 70 °C
VDS = 5V, VGS = 10V
LIMITS
UNIT
MIN TYP MAX
80
2 2.5 3.5
V
±100 nA
1
A
10
25 A
REV 1.4
1 Oct-21-2009




P9008HV pdf, 반도체, 판매, 대치품
NIKO-SEM
Dual N-Channel Enhancement Mode Field
P9008HV
Effect Transistor
SOP-8
Halogen-Free & Lead-Free
Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
10
1 TJ=150°C
TJ=25°C
0.1
0.01
0.0
VGS= 0V
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
VSD, Source-to-Drain Voltage(V)
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
25
50 75 100 125
TA ,Ambient Temperature[˚۫ C]
Safe Operating Area
100
Operation in This Area
is Lim ited by RDS(ON)
10
1
0.1
0.01
0.1
NOTE :
1.VGS= 10V
2.TA=25˚ C
3.RθJA =65˚ C/W
4.Single Pulse
1 10
VDS , Drain-Source Voltage [V]
150
1m s
10m s
100m s
1S
10s
DC
100
On-Resistance vs.Gate-to-Source Voltage
250
200
150
100
50
0
ID = 3A
2 4 68
VGS - Gate-to-Source Voltage(V)
10
Single Pulse Maximun Power dissipation
150
140
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.001
SINGLE PULSE
RθJA= 65˚ C/W
TA=25˚ C
0.01 0.1
Sigle Pulse Tim e (s)
1
10
REV 1.4
4 Oct-21-2009

4페이지












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