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부품번호 | AG009DGQ3 기능 |
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기능 | Nch 40V 30A Power MOSFET | ||
제조업체 | ROHM Semiconductor | ||
로고 | |||
AG009DGQ3
3.3mm×3.3mm Package / Nch 40V 30A Power MOSFET
Datasheet
VDSS
RDS(on)(Max.)
ID
PD
40V
8.0mΩ
±30A
75W
lFeatures
1) Small high-powered package reduces
mounting area by 36% at a maximum
2) Realization of high mounting reliability
by original terminal and plating treatment
3) Assuring Tj=175℃
4) AEC-Q101 Qualified
lOutline
HSMT8AG
lInner circuit
lApplication
Switching
lPackaging specifications
Packing
Embossed
Tape
Reel size (mm)
330
Type Tape width (mm)
Basic ordering unit (pcs)
12
3000
Taping code
TB
Marking
009DG
lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C ,unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Value
Unit
Drain - Source voltage
Continuous drain current
VGS = 10V
Pulsed drain current
Gate - Source voltage
Avalanche current, single pulse
Avalanche energy, single pulse
Power dissipation
Junction temperature
Operating junction and storage temperature range
VDSS
ID*1
IDP*2
VGSS
IAS*3
EAS*3
PD*1
Tj
Tstg
40
±30
±60
±20
15
17
75
175
-55 to +175
V
A
A
V
A
mJ
W
℃
℃
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© 2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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- Rev.001
AG009DGQ3
lElectrical characteristic curves
Fig.1 Power Dissipation Derating Curve
Datasheet
Fig.2 Maximum Safe Operating Area
Fig.3 Normalized Transient Thermal
Resistance vs. Pulse Width
Fig.4 Single Pulse Maximum Power
dissipation
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- Rev.001
4페이지 AG009DGQ3
lElectrical characteristic curves
Fig.11 Drain Current Derating Curve
Datasheet
Fig.12 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Gate Source Voltage
Fig.13 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Junction Temperature
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구 성 | 총 14 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
AG009DGQ3 | Nch 40V 30A Power MOSFET | ROHM Semiconductor |
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