|
|
|
부품번호 | RHU003N03 기능 |
|
|
기능 | 4V Drive Nch MOS FET | ||
제조업체 | ROHM Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 3 페이지수
Transistors
4V Drive Nch MOS FET
RHU003N03
RHU003N03
zStructure
Silicon N-channel MOS FET
zFeatures
1) Low On-resistance.
2) 4V drive.
zApplications
Switching
zPackaging specifications
Package
Type
Code
Basic ordering unit (pieces)
RHU003N03
Taping
T106
3000
zExternal dimensions (Unit : mm)
UMT3
2.0
0.3
(3)
0.9
0.2 0.7
(1) Source
(2) Gate
(3) Drain
(2) (1)
0.65 0.65
1.3
0.15
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : MN
zInner circuit
(3)
(2) ∗2
∗1
∗1 ESD PROTECTION DIODE (1)
∗2 BODY DIODE
(1) Source
(2) Gate
(3) Drain
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Continuous
Pulsed
Total power dissipation
Channel temperature
Range of storage temperature
∗1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%
∗2 Each terminal mounted on a recommended land
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDP ∗1
PD ∗2
Tch
Tstg
Limits
30
±20
±300
±1.2
200
150
−55 to +150
zThermal resistance
Parameter
Channel to ambient
∗ Each terminal mounted on a recommended land
Symbol
Rth(ch-a) ∗
Limits
625
Unit
V
V
mA
A
mW
°C
°C
Unit
°C/W
1/2
| |||
구 성 | 총 3 페이지수 | ||
다운로드 | [ RHU003N03.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
RHU003N03 | 4V Drive Nch MOS FET | ROHM Semiconductor |
RHU003N03FRA | Nch 30V 300mA Small Signal MOSFET | ROHM Semiconductor |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |