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RHU003N03 데이터시트 PDF




ROHM Semiconductor에서 제조한 전자 부품 RHU003N03은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 RHU003N03 자료 제공

부품번호 RHU003N03 기능
기능 4V Drive Nch MOS FET
제조업체 ROHM Semiconductor
로고 ROHM Semiconductor 로고


RHU003N03 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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RHU003N03 데이터시트, 핀배열, 회로
Transistors
4V Drive Nch MOS FET
RHU003N03
RHU003N03
zStructure
Silicon N-channel MOS FET
zFeatures
1) Low On-resistance.
2) 4V drive.
zApplications
Switching
zPackaging specifications
Package
Type
Code
Basic ordering unit (pieces)
RHU003N03
Taping
T106
3000
zExternal dimensions (Unit : mm)
UMT3
2.0
0.3
(3)
0.9
0.2 0.7
(1) Source
(2) Gate
(3) Drain
(2) (1)
0.65 0.65
1.3
0.15
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : MN
zInner circuit
(3)
(2) 2
1
1 ESD PROTECTION DIODE (1)
2 BODY DIODE
(1) Source
(2) Gate
(3) Drain
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Continuous
Pulsed
Total power dissipation
Channel temperature
Range of storage temperature
1 Pw10µs, Duty cycle1%
2 Each terminal mounted on a recommended land
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDP 1
PD 2
Tch
Tstg
Limits
30
±20
±300
±1.2
200
150
55 to +150
zThermal resistance
Parameter
Channel to ambient
Each terminal mounted on a recommended land
Symbol
Rth(ch-a)
Limits
625
Unit
V
V
mA
A
mW
°C
°C
Unit
°C/W
1/2





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