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부품번호 | RK7002BMHZG 기능 |
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기능 | MOSFET ( Transistor ) | ||
제조업체 | ROHM Semiconductor | ||
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전체 14 페이지수
RK7002BMHZG
Nch 60V 250mA Small Signal MOSFET
VDSS
RDS(on)(Max.)
ID
PD
60V
2.4Ω
±250mA
350mW
lFeatures
1) Very fast switching
2) Ultra low voltage drive (2.5V drive)
3) ESD protection up to 2kV (HBM)
4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.
5) Halogen Free.
lOutline
SOT-23
SST3
lInner circuit
Datasheet
AEC-Q101 Qualified
lPackaging specifications
Packing
Embossed
Tape
Reel size (mm)
180
lApplication
Switching circuits
Type Tape width (mm)
Basic ordering unit (pcs)
8
3000
Low-side loadswitch
Taping code
T116
Relay driver
Marking
lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C ,unless otherwise specified)
RKU
Parameter
Symbol
Value
Unit
Drain - Source voltage
VDSS
60 V
Continuous drain current
ID
±250
mA
Pulsed drain current
IDP*1 ±1 A
Gate - Source voltage
VGSS
±20 V
Power dissipation
PD*2 350 mW
PD*3 200 mW
Junction temperature
Tj 150 ℃
Operating junction and storage temperature range
Tstg
-55 to +150
℃
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© 2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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20160602 - Rev.005
RK7002BMHZG
lElectrical characteristic curves
Fig.1 Power Dissipation Derating Curve
Datasheet
Fig.2 Maximum Safe Operating Area
Fig.3 Normalized Transient Thermal
Resistance vs. Pulse Width
Fig.4 Single Pulse Maximum Power
dissipation
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4페이지 RK7002BMHZG
lElectrical characteristic curves
Fig.11 Drain Current Derating Curve
Datasheet
Fig.12 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Gate Source Voltage
Fig.13 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Junction Temperature
Fig.14 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(I)
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
RK7002BMHZG | MOSFET ( Transistor ) | ROHM Semiconductor |
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