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RSD131P10 데이터시트 PDF




ROHM Semiconductor에서 제조한 전자 부품 RSD131P10은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 RSD131P10 자료 제공

부품번호 RSD131P10 기능
기능 MOSFET ( Transistor )
제조업체 ROHM Semiconductor
로고 ROHM Semiconductor 로고


RSD131P10 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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RSD131P10 데이터시트, 핀배열, 회로
RSD131P10
Pch 100V 13A Power MOSFET
RSD131P10
Datasheet
VDSS
RDS(on) (Max.)
ID
PD
-100V
200mW
-13A
20W
lFeatures
1) Low on-resistance.
2) Fast switching speed.
3) Drive circuits can be simple.
4) Parallel use is easy.
5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant
6) 100% Avalanche tested
lApplication
Switching Power Supply
Automotive Motor Drive
Automotive Solenoid Drive
lAbsolute maximum ratings(Ta = 25°C)
Parameter
Drain - Source voltage
Continuous drain current
Tc = 25°C
Tc = 100°C
Pulsed drain current
Gate - Source voltage
Avalanche energy, single pulse
Avalanche current
Power dissipation
Junction temperature
Tc = 25°C
Ta = 25°C *4
Range of storage temperature
lOutline
CPT3
(SC-63)
<SOT-428>
(3)
(2)
(1)
lInner circuit
(3)
(1) Gate
(2) Drain
(3) Source
*1
(1) *2
*1 ESD PROTECTION DIODE
*2 BODY DIODE
lPackaging specifications
Packaging
Reel size (mm)
Tape width (mm)
Type
Basic ordering unit (pcs)
Taping code
Marking
(2)
Taping
330
16
2,500
TL
131P10
Symbol
VDSS
ID *1
ID *1
ID,pulse *2
VGSS
EAS *3
IAR *3
PD
PD
Tj
Tstg
Value
-100
13
7.0
52
20
11.9
-13
20
0.85
150
-55 to +150
Unit
V
A
A
A
V
mJ
A
W
W
°C
°C
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2012.08 - Rev.A




RSD131P10 pdf, 반도체, 판매, 대치품
RSD131P10
lElectrical characteristic curves
Fig.1 Power Dissipation Derating Curve
120
100
80
60
40
20
0
0 25 50 75 100 125 150 175
Junction Temperature : Tj [°C]
Data Sheet
Fig.2 Maximum Safe Operating Area
100
PW = 100us
10
PW = 1ms
1 Operation in this
area is limited
by RDS(on)
0.1 PW = 10ms
Ta=25ºC
Single Pulse
0.01
0.1 1
10
100
1000
Drain - Source Voltage : -VDS [V]
Fig.3 Normalized Transient Thermal
Resistance vs. Pulse Width
10
Ta=25ºC
Rth(j-c)(t) = r(t)×Rth(ch-c)
Rth(j-c) = 6.25ºC/W
1
0.1
0.01
0.00010.001 0.01 0.1
top D = 1
D = 0.5
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.01
D = Single
1 10 100 1000
Pulse Width : PW [s]
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RSD131P10 전자부품, 판매, 대치품
RSD131P10
lElectrical characteristic curves
Data Sheet
Fig.12 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Gate Source Voltage
400
Ta=25ºC
350
300
250 ID = -7.5A
ID = -13A
200
150
100
50
0
0
5 10 15
Gate - Source Voltage : -VGS [V]
Fig.13 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(I)
1000
Ta=25ºC
VGS= -10V
VGS= -4.5V
VGS= -4.0V
100
10
0.01
0.1 1 10
Drain Current : -ID [A]
100
Fig.14 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Junction Temperature
400
350
VGS = -10V
ID = -13A
300
250
200
150
100
50
0
-50 0 50 100 150
Junction Temperature : Tj [ºC]
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