Datasheet.kr   

RSF015N06 데이터시트 PDF




ROHM Semiconductor에서 제조한 전자 부품 RSF015N06은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 RSF015N06 자료 제공

부품번호 RSF015N06 기능
기능 MOSFET ( Transistor )
제조업체 ROHM Semiconductor
로고 ROHM Semiconductor 로고


RSF015N06 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 7 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

RSF015N06 데이터시트, 핀배열, 회로
Data Sheet
4V Drive Nch MOSFET
RSF015N06
Structure
Silicon N-channel MOSFET
Features
1) Built-in G-S Protection Diode.
2) Small Surface Mount Package (TUMT3).
3) Low voltage drive. (4V)
Application
Switching
Dimensions (Unit : mm)
TUMT3
Abbreviated symbol : PX
Packaging specifications
Package
Type Code
Basic ordering unit (pieces)
RSF015N06
Taping
TL
3000
Absolute maximum ratings (Ta = 25C)
Parameter
Symbol
Limits
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Continuous
Pulsed
Source current
(Body Diode)
Continuous
Pulsed
Power dissipation
Channel temperature
Range of storage temperature
VDSS
60
VGSS *1
20
ID *1
1.5
IDP *1
IS
6.0
0.6
ISP *1
6.0
PD *2
0.8
Tch 150
Tstg 55 to +150
*1 Pw10s, Duty cycle1%
*2 Mounted on a ceramic board.
Unit
V
V
A
A
A
A
W
C
C
Inner circuit
(3)
(1) Gate
(2) Source
(3) Drain
1
2
(1) (2)
1 ESD PROTECTION DIODE
2 BODY DIODE
Thermal resistance
Parameter
Channel to Ambient
*Mounted on a ceramic board.
Symbol
Rth (ch-a)*
Limits
156
Unit
C / W
www.rohm.com
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/6
2011.10 - Rev.A




RSF015N06 pdf, 반도체, 판매, 대치품
RSF015N06
10000
1000
Fig.7 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current()
VGS= 4.0V
Pulsed
Ta= 125°C
Ta= 75°C
Ta= 25°C
Ta= -25°C
100
10
0.01
0.1 1
DRAIN-CURRENT : ID[A]
Fig.9 Source Current
vs. Sourse-Drain Voltage
10
VGS=0V
Pulsed
10
1
0.1
0.01
0
1000
100
Ta= 125°C
Ta= 75°C
Ta= 25°C
Ta= -25°C
0.5 1 1.5
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : VSD [V]
Fig.11 Switching Characteristics
td(off)
tf
Ta=25°C
VDD= 30V
VGS=10V
RG=10Ω
Pulsed
10
1
0.01
td(on)
tr
0.1 1
DRAIN-CURRENT : ID[A]
10
  Data Sheet
Fig.8 Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
10
VDS= 10V
Pulsed
1
Ta= -25°C
Ta=25°C
Ta=75°C
Ta=125°C
0.1
0.01
0.1 1
DRAIN-CURRENT : ID[A]
10
Fig.10 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Gate Source Voltage
600
Ta=25°C
ID= 1.5A
Pulsed
500
400 ID= 0.7A
300
200
100
0
0
5 10 15
GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS[V]
20
Fig.12 Dynamic Input Characteristics
10
Ta=25°C
VDD= 30V
8
ID= 1.5A
RG=10Ω
Pulsed
6
4
2
0
01234
TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]
www.rohm.com
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
4/6
2011.10 - Rev.A

4페이지










RSF015N06 전자부품, 판매, 대치품
Notes
Notice
Thank you for your accessing to ROHM product informations.
More detail product informations and catalogs are available, please contact us.
ROHM Customer Support System
http://www.rohm.com/contact/
www.rohm.com
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
R1120A

7페이지


구       성 총 7 페이지수
다운로드[ RSF015N06.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
RSF015N06

MOSFET ( Transistor )

ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
RSF015N06FRA

MOSFET ( Transistor )

ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵