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부품번호 | RSJ250P10 기능 |
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기능 | MOSFET ( Transistor ) | ||
제조업체 | ROHM Semiconductor | ||
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전체 7 페이지수
Data Sheet
4V Drive Pch MOSFET
RSJ250P10
Structure
Silicon P-channel MOSFET
Features
1) Low on-resistance.
2) Built-in G-S Protection Diode.
Application
Switching
Dimensions (Unit : mm)
LPTS
10.1 4.5 1.3
1.24
2.54 0.78
5.08
(1) (2) (3)
0.4
2.7
Packaging specifications
Package
Type Code
Basic ordering unit (pieces)
RSJ250P10
Taping
TL
1000
○
Inner circuit
∗1
∗2
Absolute maximum ratings (Ta = 25C)
Parameter
Symbol
Limits
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Source current
(Body Diode)
Power dissipation
Channel temperature
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
VDSS
VGSS
ID
IDP
IS
ISP
PD
Tch
*1
*2
*1
*2
*3
100
20
25
50
25
50
50
150
Range of storage temperature
Tstg 55 to 150
*1 Limited only by maximum temperature allowed.
*2 PW≤10s, Duty cycle≤1%
*3 TC=25°C
Unit
V
V
A
A
A
A
W
C
C
Thermal resistance
Parameter
Channel to Ambient
* TC=25°C
Symbol
Limits
Rth (ch-c)* 2.5
Unit
C / W
(1) Gate
(2) Drain
(3) Source
(1) (2) (3)
∗1 ESD PROTECTION DIODE
∗2 BODY DIODE
www.rohm.com
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2011.06 - Rev.A
RSJ250P10
1000
Fig.7 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current(Ⅳ)
VGS= -4.0V
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=-25°C
100
10
0.1
1 10
DRAIN-CURRENT : -ID[A]
Fig.9 Reverse Drain Current
vs. Sourse-Drain Voltage
100
VGS=0V
Pulsed
10
100
1
Ta=125°C
Ta=75°C
0.1
Ta=25°C
Ta=-25°C
0.01
0
10000
1000
0.5 1 1.5
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : -VSD [V]
Fig.11 Switching Characteristics
tf
td(off)
Ta=25°C
VDD= -50V
VGS= -10V
RG=10Ω
Pulsed
100
td(on)
10
1
0.01
tr
0.1 1 10
DRAIN-CURRENT : -ID[A]
100
Data Sheet
Fig.8 Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
100
VDS= -10V
Pulsed
10
Ta=125°C
Ta=75°C
1
Ta=25°C
Ta=-25°C
0.1
0.01
0.1 1 10
DRAIN-CURRENT : -ID[A]
100
Fig.10 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Gate Source Voltage
100
Ta=25°C
Pulsed
ID= -12.5A
80 ID= -25.0A
60
40
20
0
0
10
5
GATE-SOURCE VOLTAGE : -VGS[V]
10
Fig.12 Dynamic Input Characteristics
8
6
4
Ta=25°C
2 VDD= -50V
ID= -25A
RG=10Ω
Pulsed
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]
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2011.06 - Rev.A
4페이지 Notes
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R1120A
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