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RSJ250P10 데이터시트 PDF




ROHM Semiconductor에서 제조한 전자 부품 RSJ250P10은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 RSJ250P10 자료 제공

부품번호 RSJ250P10 기능
기능 MOSFET ( Transistor )
제조업체 ROHM Semiconductor
로고 ROHM Semiconductor 로고


RSJ250P10 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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RSJ250P10 데이터시트, 핀배열, 회로
Data Sheet
4V Drive Pch MOSFET
RSJ250P10
Structure
Silicon P-channel MOSFET
Features
1) Low on-resistance.
2) Built-in G-S Protection Diode.
Application
Switching
Dimensions (Unit : mm)
LPTS
10.1 4.5 1.3
1.24
2.54 0.78
5.08
(1) (2) (3)
0.4
2.7
Packaging specifications
Package
Type Code
Basic ordering unit (pieces)
RSJ250P10
Taping
TL
1000
Inner circuit
1
2
Absolute maximum ratings (Ta = 25C)
Parameter
Symbol
Limits
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Source current
(Body Diode)
Power dissipation
Channel temperature
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
VDSS
VGSS
ID
IDP
IS
ISP
PD
Tch
*1
*2
*1
*2
*3
100
20
25
50
25
50
50
150
Range of storage temperature
Tstg 55 to 150
*1 Limited only by maximum temperature allowed.
*2 PW10s, Duty cycle1%
*3 TC=25°C
Unit
V
V
A
A
A
A
W
C
C
Thermal resistance
Parameter
Channel to Ambient
* TC=25°C
Symbol
Limits
Rth (ch-c)* 2.5
Unit
C / W
(1) Gate
(2) Drain
(3) Source
(1) (2) (3)
1 ESD PROTECTION DIODE
2 BODY DIODE
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© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2011.06 - Rev.A




RSJ250P10 pdf, 반도체, 판매, 대치품
RSJ250P10
1000
Fig.7 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current()
VGS= -4.0V
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=-25°C
100
10
0.1
1 10
DRAIN-CURRENT : -ID[A]
Fig.9 Reverse Drain Current
vs. Sourse-Drain Voltage
100
VGS=0V
Pulsed
10
100
1
Ta=125°C
Ta=75°C
0.1
Ta=25°C
Ta=-25°C
0.01
0
10000
1000
0.5 1 1.5
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : -VSD [V]
Fig.11 Switching Characteristics
tf
td(off)
Ta=25°C
VDD= -50V
VGS= -10V
RG=10Ω
Pulsed
100
td(on)
10
1
0.01
tr
0.1 1 10
DRAIN-CURRENT : -ID[A]
100
  Data Sheet
Fig.8 Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
100
VDS= -10V
Pulsed
10
Ta=125°C
Ta=75°C
1
Ta=25°C
Ta=-25°C
0.1
0.01
0.1 1 10
DRAIN-CURRENT : -ID[A]
100
Fig.10 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Gate Source Voltage
100
Ta=25°C
Pulsed
ID= -12.5A
80 ID= -25.0A
60
40
20
0
0
10
5
GATE-SOURCE VOLTAGE : -VGS[V]
10
Fig.12 Dynamic Input Characteristics
8
6
4
Ta=25°C
2 VDD= -50V
ID= -25A
RG=10Ω
Pulsed
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]
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2011.06 - Rev.A

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RSJ250P10 전자부품, 판매, 대치품
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