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RSJ400N06 데이터시트 PDF




ROHM Semiconductor에서 제조한 전자 부품 RSJ400N06은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 RSJ400N06 자료 제공

부품번호 RSJ400N06 기능
기능 MOSFET ( Transistor )
제조업체 ROHM Semiconductor
로고 ROHM Semiconductor 로고


RSJ400N06 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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RSJ400N06 데이터시트, 핀배열, 회로
10V Drive Nch MOSFET
RSJ400N06
Structure
Silicon N-channel MOSFET
Features
1) Low on-resistance.
2) High current
3) High power Package
Application
Switching
Packaging specifications
Package
Type Code
Basic ordering unit (pieces)
RSJ400N06
Taping
TL
1000
Data Sheet
Dimensions (Unit : mm)
LPTS
10.1 4.5 1.3
1.24
2.54 0.78
5.08
(1) (2) (3)
0.4
2.7
Inner circuit
1
2
Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)
Parameter
Symbol Limits
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Source current
(Body Diode)
Power dissipation
Channel temperature
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
VDSS
VGSS
ID
IDP *1
IS
ISP *1
PD *2
Tch
60
20
40
80
40
80
50
150
Range of storage temperature
Tstg 55to150
*1 Pw10s, Duty cycle1%
*2 Tc=25C
Unit
V
V
A
A
A
A
W
C
C
(1) Gate
(2) Drain
(3) Source
Thermal resistance
Parameter
Channel to Case
* Tc=25C
Symbol
Rth (ch-c) *
Limits
2.5
Unit
C / W
(1) (2) (3)
1 ESD PROTECTION DIODE
2 BODY DIODE
www.rohm.com
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/5
2011.09 - Rev.A




RSJ400N06 pdf, 반도체, 판매, 대치품
RSJ400N06
 
Data Sheet
Fig.7 Source Current vs. Source-Drain Voltage
100
VGS=0V
pulsed
10
1 Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
0.1 Ta=-25°C
0.01
0.001
0.0001
0.0
0.5 1.0
Source-Drain Voltage : VSD [V]
1.5
10000
1000
100
10
Fig.9 Switching Characteristics
VDD30V
VGS=10V
RG=10Ω
Ta=25°C
Pulsed
tf
td(off)
td(on)
tr
1
0.01
0.1 1 10
Drain Current : ID [A]
100
100000
10000
Fig.11 Typical Capacitance vs. Drain-Source Voltage
Ta=25°C
f=1MHz
VGS=0V
Ciss
1000
Coss
100
Crss
10
1
0.01
0.1 1 10
Drain-Source Voltage : VDS [V]
100
Fig.8 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Gate-Source Voltage
50
Ta=25°C
pulsed
40
30 ID=20A
ID=40A
20
10
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Gate-Source Voltage : VGS [V]
Fig.10 Dynamic Input Characteristics
10
Ta=25°C
VDD=30V
ID=40A
8 Pulsed
6
4
2
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60
Total Gate Charge : Qg [nC]
Fig.12 Normalized Transient Thermal Resistance v.s. Pulse Width
10
Tc=25°C
Single Pulse
1
0.1
0.01
0.001
0.0001 0.001
Rth(ch-c)=2.5°C/W
Rth(ch-c)(t)=r(t)×Rth(ch-c)
0.01 0.1 1 10
Pulse width : Pw (s)
100 1000
www.rohm.com
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
4/5
2011.09 - Rev.A

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