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P0403BK 데이터시트 PDF




NIKO-SEM에서 제조한 전자 부품 P0403BK은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 P0403BK 자료 제공

부품번호 P0403BK 기능
기능 N-Channel Field Effect Transistor
제조업체 NIKO-SEM
로고 NIKO-SEM 로고


P0403BK 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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P0403BK 데이터시트, 핀배열, 회로
NIKO-SEM
N-Channel Enhancement Mode Field
Effect Transistor
P0403BK
NPAK SOP-8
Lead-Free
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
30 4.0mΩ
ID
35A
D
G
D DDD
G : GATE
D : DRAIN
S : SOURCE
S #1 S S S G
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 70 °C
VDS
VGS
ID
IDM
Avalanche Current
Avalanche Energy
Repetitive Avalanche Energy2
Power Dissipation
Junction & Storage Temperature Range
L = 0.1mH
L = 0.05mH
TC = 25 °C
TC = 70 °C
IAR
EAS
EAR
PD
Tj, Tstg
LIMITS
30
±20
35
26
50
25
31.5
1.0
4.0
2.5
-55 to 150
UNITS
V
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
Junction-to-Ambient
RθJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle 1%
TYPICAL
MAXIMUM
31
UNITS
°C / W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C, Unless Otherwise Noted)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
Drain-Source On-State
Resistance1
Forward Transconductance1
V(BR)DSS
VGS(th)
IGSS
IDSS
RDS(ON)
gfs
STATIC
VGS = 0V, ID = 250μA
VDS = VGS, ID = 250μA
VDS = 0V, VGS = ±20V
VDS = 24V, VGS = 0V
VDS = 20V, VGS = 0V, TJ = 55 °C
VGS = 5.0V, ID = 22A
VGS = 10V, ID = 27A
VDS = 15V, ID = 27A
LIMITS
UNIT
MIN TYP MAX
30
1 1.5 3.0
V
±100 nA
1
μA
10
5.0 6.8
3.5 4.0 mΩ
85 S
1 Apr-02-2007




P0403BK pdf, 반도체, 판매, 대치품
NIKO-SEM
N-Channel Enhancement Mode Field
Effect Transistor
P0403BK
NPAK SOP-8
Lead-Free
On-Resistance vs. Junction Temperature
1.6
VGS = 10V
1.4 ID = 27A
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
200
160
1.2 120
1.0
0.8
0.6
- 50
- 25 0 25 50 75 100
TJ - Junction Temperature(C° )
125 150
Source - Drain Diode Forward Voltage
50
TJ =150° C
10
TJ =25° C
1
0.00 0.2 0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
VSD - Source-to-Drain Voltage(V)
Safe Operating Area, Junction-to-Case
100
Limited by rDS(ON)
10
1
0.1 TC =25° C
Single Pulse
1ms
10ms
100ms
1s
10s
dc
0.01
0.1
1 10
VDS - Drain-to- Source Voltage(V)
100
80
40
0
0.001
0.4
0.01 0.1
Time(sec)
1
Threshold Voltage
10
0.2
ID = 250μA
-0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
- 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150
TJ - Temperature(C° )
4 Apr-02-2007

4페이지












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