Datasheet.kr   

P1403EV8 데이터시트 PDF




NIKO-SEM에서 제조한 전자 부품 P1403EV8은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 P1403EV8 자료 제공

부품번호 P1403EV8 기능
기능 P-Channel Field Effect Transistor
제조업체 NIKO-SEM
로고 NIKO-SEM 로고


P1403EV8 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 4 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

P1403EV8 데이터시트, 핀배열, 회로
NIKO-SEM P-Channel Logic Level Enhancement Mode P1403EV8
Field Effect Transistor
SOP-8
Halogen-Free & Lead-Free
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
-30 14mΩ
ID
-12
D
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TA = 25 °C
TA = 70 °C
Avalanche Current
Avalanche Energy
L = 0.1mH
Power Dissipation
TA = 25 °C
TA = 70 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
VDS
VGS
ID
IDM
IAS
EAS
PD
Tj, Tstg
4 :GATE
5,6,7,8 :DRAIN
1,2,3 :SOURCE
100% UIS tested
LIMITS
-30
±25
-12
-10
-65
-39
89
3
2
-55 to 150
UNITS
V
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
TYPICAL
MAXIMUM
UNITS
Junction-to-Case
RθJc
25 °C / W
Junction-to-Ambient
RθJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
40 °C / W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C, Unless Otherwise Noted)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
STATIC
LIMITS
UNIT
MIN TYP MAX
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
Drain-Source On-State
Resistance1
V(BR)DSS
VGS(th)
IGSS
IDSS
RDS(ON)
VGS = 0V, ID = -250µA
VDS = VGS, ID = -250µA
VDS = 0V, VGS = ±25V
VDS = -24V, VGS = 0V
VDS = -20V, VGS = 0V, TJ = 125 °C
VGS = -4.5V, ID = -9A
VGS = -10V, ID = -12A
-30
-1 -1.5
-3
V
±100 nA
-1
µA
-10
17.8 22
mΩ
11.3 14
REV 1.0
Jan-29-2010
1




P1403EV8 pdf, 반도체, 판매, 대치품
NIKO-SEM P-Channel Logic Level Enhancement Mode P1403EV8
Field Effect Transistor
SOP-8
Halogen-Free & Lead-Free
Capacitance Characteristic
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0 5 10 15 20 25 30
-VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
1.0E+02
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
1 .0 E -0 2
1.0E-03
TJ =150° C
TJ =25° C
1.0E-04
1.0E -05
0 .0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0
-VSD, Source-To-Drain Voltage(V)
1.2
Safe Operating Area
1000
Operation in
100 This Area is
Lim ited by
RDS(ON)
10
100us
1
NOTE :
0.1
1.VGS= 10V
2.TA=25˚ C
3.RθJA = 50˚ C/W
4.Single Pulse
1m s
10m s
100m s
1S
10S
DC
0.01
0.1
1
10 100
-VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
Single Pulse Maximum Power Dissipation
150
120 SINGLE PULSE
RθJA = 50˚ C/W
TA=25˚ C
90
60
30
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
1.00E+01
Transient Thermal Response Curve
1.00E+00
Duty Cycle=0.5
0.2
1.00E-01
0.1
0.05
0.02
0.01
single Pluse
1.00E-02
1.E-04
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
T1 , Square Wave Pulse Duration[sec]
REV 1.0
4
Note
1.Duty cycle, D= t1 / t2
2.RthJA = 50 /W
3.TJ-TA = P*RthJA(t)
4.RthJA(t) = r(t)*RthJA
1.E+01
1.E+02
Jan-29-2010

4페이지












구       성 총 4 페이지수
다운로드[ P1403EV8.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
P1403EV8

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

UNIKC
UNIKC
P1403EV8

P-Channel Field Effect Transistor

NIKO-SEM
NIKO-SEM

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵