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P0703EK 데이터시트 PDF




NIKO-SEM에서 제조한 전자 부품 P0703EK은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 P0703EK 자료 제공

부품번호 P0703EK 기능
기능 P-Channel Field Effect Transistor
제조업체 NIKO-SEM
로고 NIKO-SEM 로고


P0703EK 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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P0703EK 데이터시트, 핀배열, 회로
NIKO-SEM
P-Channel Logic Level Enhancement
P0703EK
Mode Field Effect Transistor
NPAK SOP-8
(Preliminary)
Halogen-Free & Lead-Free
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
-30V
7.5mΩ
ID
- 30A
D
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C (Package Limited)
TC = 25 °C (Silicon Limited)
TC = 100 °C
Continuous Drain Current
Avalanche Current
TA = 25 °C
TA = 70 °C
Avalanche Energy
L = 0.1mH
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Power Dissipation
TA = 25 °C
TA = 70 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
VDS
VGS
ID
IDM
ID
IAS
EAS
PD
PD
Tj, Tstg
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
Junction-to-Ambient
RθJA
Junction-to-Case
RθJC
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
TYPICAL
D DDD
#1 S S S G
1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
LIMITS
30
±25
-30
-72
-45
-120
-14
-11
-70
249
62.5
25
2.5
1.6
-55 to 150
UNITS
V
V
A
mJ
W
W
°C
MAXIMUM
50
2
UNITS
°C / W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C, Unless Otherwise Noted)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
V(BR)DSS
VGS(th)
STATIC
VGS = 0V, ID = -250µA
VDS = VGS, ID = -250µA
REV 0.9
1
LIMITS
UNIT
MIN TYP MAX
-30
-1 -1.7
-3
V
Mar-02-2010




P0703EK pdf, 반도체, 판매, 대치품
NIKO-SEM
P-Channel Logic Level Enhancement
P0703EK
Mode Field Effect Transistor
NPAK SOP-8
(Preliminary)
Halogen-Free & Lead-Free
Capacitance Characteristic
7.00E+03
6.00E+03
5.00E+03
Cis s
4.00E+03
3.00E+03
2.00E+03
1.00E+03
Cos s
Cr s s
0.00E+00
0 5 10 15 20 25 30
-VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
Safe Operating Area
1000
Body Diode Forward Voltage VS Source current
1.0E+03
1.0E+02
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
TJ =150° C
TJ =25°C
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
-VSD, Source-To-Drain Voltage(V)
1.4
Single Pulse Maximum Power Dissipation
2000
Operation in This
100 Area is Lim ited
by RDS(ON)
100us
1500
1000
SINGLE PULSE
RθJC = 2˚ C/W
TC=25˚ C
10 1m s
NOTE :
1.VGS= 10V
2.TC=25˚ C
3.RθJC = 2˚ C/W
4.Single Pulse
1
0.1
1
10
-VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
10m s
DC
100
500
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
Single Plus Time (s)
1.00E+01
Transient Thermal Response Curve
1
10
1.00E+00
Duty Cycle=0.5
0.2
1.00E-01
0.1
0.05
0.02
0.01
single Pluse
1.00E-02
1.E-05
1.E-04
REV 0.9
1.E-03
1.E-02
T1 , Square Wave Pulse Duration[sec]
4
Note
1.Duty cycle, D= t1 / t2
2.RthJC = 2 oC/W
3.TJ-TC = P*RthJC(t)
4.RthJC(t) = r(t)*RthJC
1.E-01
1.E+00
Mar-02-2010

4페이지












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