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부품번호 | GT50N324 기능 |
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기능 | silicon N-channel IGBT | ||
제조업체 | Toshiba | ||
로고 | |||
전체 6 페이지수
GT50N324
東芝伝導度変調型電界効果トランジスタ シリコンNチャネルIGBT
GT50N324
○ 電圧共振インバータスイッチング用
○ 第 6 世代
単位: mm
• 高速 FRD を内蔵しています。
• 取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプです。
• スイッチング時間が速い。 IGBT: tf = 0.11 μs (標準) (IC = 60 A)
FRD: trr = 0.8 μs (標準) (di/dt=-20 A/μs)
• 飽和電圧が低い。
VCE (sat) = 1.90 V (標準) (IC = 60 A)
絶対最大定格 (Ta = 25 °C)
項目
記 号 定 格 単位
コレクタ・エミッタ間電圧
ゲート・エミッタ間電圧
コレクタ電流
DC
1 ms
ダイオード順電流
DC
1 ms
コ レ ク タ 損 失 (Tc = 25°C)
接合温度
保存温度
VCES
VGES
IC
ICP
IF
IFP
PC
Tj
Tstg
1000
± 25
50
120
15
120
150
150
−55~150
V
V
A
A
W
°C
°C
JEDEC
―
JEITA
―
東芝
2-16C1C
質量: 4.6 g (標準)
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても、高負荷 (高温および大電
流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
現品表示
等価回路
コレクタ
TOSHIBA
50 N324
製品名(または略号)
ロット No.
注1
ゲート
注1: ロット No.の下線は、製品ラベルに記載される表示を識別するものです。
[[G]]/RoHS COMPATIBLE or [[G]]/RoHS [[Pb]]
エミッタ
本製品の RoHS 適合性など、詳細につきましては製品個別に必ず弊社営業窓口までお問合わせください。
RoHS 指令とは、「電気電子機器に含まれる特定有害物質の使用制限(RoHS)に関する 2011 年 6 月 8 日付けの
欧州議会および欧州理事会の指令(EU 指令 2011/65/EU)」のことです。
製品量産開始時期
2008-03
1 2013-11-01
GT50N324
スイッチング時間 - I C
10
エミッタ接地
VCC =6 00 V
RG= 51Ω
VGG=± 15 V
Tc= 25 ℃
1
0.1
toff
ton
tr
tf
スイッチング時間 - R G
10
エミッタ接地
VCC=600V
IC=50A
VGG=±15V
1 Tc=25℃
0.1
t off
t on
tr
tf
0.01
0
20 40 60
コレクタ電流 I C (A)
200
エミッタ接地
RL=3Ω
Tc =25℃
150
VCE ,VGE- QG
80
16
12
100 VCE=150V
50
50 100
8
4
0
0 50 100 150 200
充電電荷量 QG (nC)
0.01
1
10000
1000
10 100
ゲート抵抗 R G (Ω)
1000
C - VCE
Cies
エミッタ接地
VGE=0
f=1MHz
Tc=25℃
Coes
100
10
1
102
Tc=25℃
101
Cre s
10 100
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
rth(t) - tw
1000
FRD 部
100
10-1
IGBT 部
10-2
10-3
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
パルス幅 tw (s)
100 101
102
4 2013-11-01
4페이지 | |||
구 성 | 총 6 페이지수 | ||
다운로드 | [ GT50N324.PDF 데이터시트 ] |
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
GT50N321 | Insulated Gate Bipolar Transistor | Toshiba Semiconductor |
GT50N322A | Insulated Gate Bipolar Transistor | Toshiba Semiconductor |
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