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P1203BVA 데이터시트 PDF




NIKO-SEM에서 제조한 전자 부품 P1203BVA은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 P1203BVA 자료 제공

부품번호 P1203BVA 기능
기능 N-Channel Field Effect Transistor
제조업체 NIKO-SEM
로고 NIKO-SEM 로고


P1203BVA 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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P1203BVA 데이터시트, 핀배열, 회로
NIKO-SEM
N-Channel Logic Level Enhancement P1203BVA
Mode Field Effect Transistor
SOP-8
Halogen-Free & Lead-Free
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
30V 12mΩ
ID
11A
D
G
S
4 :GATE
5,6,7,8 :DRAIN
1,2,3 :SOURCE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TA = 25 °C
TA = 70 °C
Avalanche Current
Avalanche Energy
L = 0.1mH
Power Dissipation
TA = 25 °C
TA = 70 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
VGS
ID
IDM
IAS
EAS
PD
Tj, Tstg
LIMITS
±20
11
7
40
28
40
2.5
1
-55 to 150
UNITS
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
Junction-to-Case
RθJC
Junction-to-Ambient
RθJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
TYPICAL
MAXIMUM
25
50
UNITS
°C / W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C, Unless Otherwise Noted)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
STATIC
MIN
LIMITS
TYP MAX
UNIT
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
On-State Drain Current1
Drain-Source On-State
Resistance1
Forward Transconductance1
V(BR)DSS
VGS(th)
IGSS
IDSS
ID(ON)
RDS(ON)
gfs
VGS = 0V, ID = 250µA
VDS = VGS, ID = 250µA
VDS = 0V, VGS = ±20V
VDS = 24V, VGS = 0V
VDS = 20V, VGS = 0V, TC = 125 °C
VDS = 10V, VGS = 10V
VGS = 4.5V, ID = 11A
VGS = 10V, ID = 11A
VDS = 5V ID = 11A
30
1.2
40
1.5 3
V
±100 nA
1
µA
10
A
14 17.5
mΩ
9.6 12
40 S
REV 0.93
Sep-13-2011
1




P1203BVA pdf, 반도체, 판매, 대치품
NIKO-SEM
N-Channel Logic Level Enhancement P1203BVA
Mode Field Effect Transistor
SOP-8
Halogen-Free & Lead-Free
Safe Operating Area
100
10
100uS
Ope ration in This Are a
1 is Lim ite d by RDS(ON)
1m s
10m s
100m s
0.1 NOTE :
1.V GS= 10V
2.TA=25˚ C
3.RθJA = 50˚ C/W
4.Single Puls e
1S
10S
DC
0.01
0.1 1 10
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
100
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
SINGLE PULSE
RθJA = 50˚ C/W
40 TA=25˚ C
30
20
10
0
0.001
0.01
0.1
1
Single Pulse Time(s)
10
1.00E+01
Transient Thermal Response Curve
1.00E+00
1.00E-01
1.00E-02
1.00E-03
1.E-06
Duty Cycle=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
single Pluse
1.E-05
1.E-04
1.E-03
1.E-02
1.E-01
T1 , Square Wave Pulse Duration[sec]
Note
1.Duty cycle, D= t1 / t2
2.RthJA = 50 /W
3.TJ-TA = P*RthJA(t)
4.RthJA(t) = r(t)*RthJA
1.E+00
1.E+01
1.E+02
REV 0.93
Sep-13-2011
4

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