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부품번호 | FS50R12KE3 기능 |
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기능 | IGBT-Module | ||
제조업체 | eupec GmbH | ||
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전체 9 페이지수
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS50R12KE3
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
Tvj= 25°C
Kollektor Dauergleichstrom
DC collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Tc= 80°C
Tc= 25°C
tp= 1ms, Tc= 80°C
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Tc= 25°C; Transistor
Gate Emitter Spitzenspannung
gate emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
tp= 1ms
Grenzlastintegral
I²t value
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
VCES
IC, nom
IC
ICRM
Ptot
VGES
IF
IFRM
I²t
VISOL
1200
50
75
100
270
+20
50
100
700
2,5
V
A
A
A
W
V
A
A
A²s
kV
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Kollektor Emitter Sättigungsspannung
collector emitter saturation voltage
IC= 50A, VGE= 15V, Tvj= 25°C
IC= 50A, VGE= 15V, Tvj= 125°C
Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage
IC= 2,0mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C
Gateladung
gate charge
VGE= -15V...+15V
Eingangskapazität
input capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Kollektor Emitter Reststrom
collector emitter cut off current
VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25°C
Gate Emitter Reststrom
gate emitter leakage current
VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C
min. typ. max.
VCEsat
-
-
1,7 2,15
2,0 -
VGE(th)
5,0
5,8
6,5
V
V
V
QG - 0,47 - µC
Cies - 3,50 - nF
Cres - 0,13 - nF
ICES
-
-
5 mA
IGES
-
- 400 nA
prepared by: MOD-D2; M. Münzer
approved: SM TM; Robert Severin
date of publication: 2002-09-03
revision: 3.0
1 (8)
DB_FS50R12KE3_ 3.0.xls
2002-09-03
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS50R12KE3
Ausgangskennlinie (typisch)
output characteristic (typical)
IC= f(VCE)
VGE= 15V
100
90
Tvj = 25°C
80 Tvj = 125°C
70
60
50
40
30
20
10
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
VCE [V]
4,0
Ausgangskennlinienfeld (typisch)
output characteristic (typical)
IC= f(VCE)
Tvj= 125°C
100
90 VGE=19V
VGE=17V
80 VGE=15V
70 VGE=13V
VGE=11V
60 VGE=9V
50
40
30
20
10
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V]
4 (8)
DB_FS50R12KE3_ 3.0.xls
2002-09-03
4페이지 Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS50R12KE3
Transienter Wärmewiderstand
Transient thermal impedance
1
ZthJC = f (t)
0,1
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
Zth : IGBT
Zth : Diode
1 10
i
ri [K/W] : IGBT
τi [s] : IGBT
ri [K/W] : Diode
τi [s] : Diode
1
5,077E-02
2,345E-03
7,637E-02
3,333E-03
2
7,893E-02
2,820E-01
4,933E-01
3,429E-02
3
2,032E-01
2,820E-02
1,421E-01
1,294E-01
4
1,142E-01
1,128E-01
4,501E-02
7,662E-01
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
VGE=±15V, RG=18Ω, Tvj=125°C
125
100
75 IC,Chip
IC,Modul
50
25
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
VCE [V]
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