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MTB15A04Q8 데이터시트 PDF




Cystech Electonics에서 제조한 전자 부품 MTB15A04Q8은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MTB15A04Q8 자료 제공

부품번호 MTB15A04Q8 기능
기능 Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
제조업체 Cystech Electonics
로고 Cystech Electonics 로고


MTB15A04Q8 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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MTB15A04Q8 데이터시트, 핀배열, 회로
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C055Q8
Issued Date : 2017.01.04
Revised Date :
Page No. : 1/9
Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTB15A04Q8 BVDSS
ID@ VGS=10V, TC=25°C
ID@ VGS=10V, TA=25°C
RDSON@VGS=10V, ID=8A
Features
Simple drive requirement
Low on-resistance
Fast switching speed
Dual N-ch MOSFET package
Pb-free lead plating & halogen-free package
RDSON@VGS=4.5V, ID=4A
40V
14.5A
8.8A
12.3mΩ(typ)
15.4mΩ(typ)
Equivalent Circuit
MTB15A04Q8
Outline
SOP-8
D2
D2
D1
D1
GGate SSource DDrain
Pin 1
G2
S2
G1
S1
Ordering Information
Device
MTB15A04Q8-0-T3-G
Package
SOP-8
(Pb-free lead plating and halogen-free package)
Shipping
2500 pcs / tape & reel
Environment friendly grade : S for RoHS compliant products, G for RoHS compliant and
green compound products
Packing spec, T3 : 2500 pcs / tape & reel, 13” reel
Product rank, zero for no rank products
Product name
MTB15A04Q8
CYStek Product Specification




MTB15A04Q8 pdf, 반도체, 판매, 대치품
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C055Q8
Issued Date : 2017.01.04
Revised Date :
Page No. : 4/9
Typical Characteristics
Typical Output Characteristics
30
25 3.5V
20
10V,9V,8V,7V,6V,5V,4.5V,4V
15
3V
10
5
VGS=2.5V
0
0 12 34 5
VDS, Drain-Source Voltage(V)
Brekdown Voltage vs Ambient Temperature
1.4
1.2
1
0.8
0.6
ID=250μA,
VGS=0V
0.4
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 200
Tj, Junction Temperature(°C)
Static Drain-Source On-State resistance vs Drain Current
100
Reverse Drain Current vs Source-Drain Voltage
1.2
VGS=0V
1
0.8
Tj=25°C
VGS=10V
VGS=4.5V
0.6
0.4
Tj=150°C
10
0.01
0.1 1 10
ID, Drain Current(A)
100
Static Drain-Source On-State Resistance vs Gate-Source
Voltage
100
ID=8A
80
60
40
20
0
0 2 4 6 8 10
VGS, Gate-Source Voltage(V)
0.2
0
2 46 8
IDR, Reverse Drain Current(A)
10
Drain-Source On-State Resistance vs Junction Tempearture
2.8
2.4 VGS=10V, ID=8A
2
1.6
1.2
0.8
0.4 RDS(ON)@Tj=25°C : 12.3mΩ
0
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 200
Tj, Junction Temperature(°C)
MTB15A04Q8
CYStek Product Specification

4페이지










MTB15A04Q8 전자부품, 판매, 대치품
Reel Dimension
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C055Q8
Issued Date : 2017.01.04
Revised Date :
Page No. : 7/9
Carrier Tape Dimension
MTB15A04Q8
CYStek Product Specification

7페이지


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