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MTB1D5N03H8 데이터시트 PDF




Cystech Electonics에서 제조한 전자 부품 MTB1D5N03H8은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MTB1D5N03H8 자료 제공

부품번호 MTB1D5N03H8 기능
기능 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
제조업체 Cystech Electonics
로고 Cystech Electonics 로고


MTB1D5N03H8 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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MTB1D5N03H8 데이터시트, 핀배열, 회로
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C984H8
Issued Date : 2017.01.06
Revised Date :
Page No. : 1/ 10
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTB1D5N03H8 BVDSS
ID@VGS=10V, TC=25°C
ID@VGS=10V, TC=25°C
ID@VGS=10V, TA=25°C
Features
Low On Resistance
Simple Drive Requirement
Low Gate Charge
Fast Switching Characteristic
Pb-free lead plating and Halogen-free package
RDS(ON)@VGS=10V, ID=20A
RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A
30V
156A(silicon limit)
84A(package limit)
23.5A
1.3mΩ(typ)
1.6mΩ(typ)
Symbol
MTB1D5N03H8
GGate DDrain SSource
Outline
Pin 1
S
S
S
G
DFN5×6
D
D
D
D
G
S
S
S
D
D
D
D
Pin 1
Ordering Information
Device
MTB1D5N03H8-0-T6-G
Package
DFN 5 ×6
(Pb-free lead plating and halogen-free package)
Shipping
3000 pcs / tape & reel
Environment friendly grade : S for RoHS compliant products, G for RoHS compliant
and green compound products
Packing spec, T6 : 3000 pcs / tape & reel,13” reel
Product rank, zero for no rank products
Product name
MTB1D5N03H8
CYStek Product Specification




MTB1D5N03H8 pdf, 반도체, 판매, 대치품
CYStech Electronics Corp.
Recommended Soldering Footprint & Stencil Design
Spec. No. : C984H8
Issued Date : 2017.01.06
Revised Date :
Page No. : 4/ 10
MTB1D5N03H8
unit : mm
CYStek Product Specification

4페이지










MTB1D5N03H8 전자부품, 판매, 대치품
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C984H8
Issued Date : 2017.01.06
Revised Date :
Page No. : 7/ 10
Typical Characteristics(Cont.)
Typical Transfer Characteristics
300
VDS=10V
250
200
150
3000
2500
2000
1500
Single Pulse Maximum Power Dissipation
TJ(MAX)=175°C
TC=25°C
RθJC=1.2°C/W
100 1000
50
0
0
1
500
12 34
VGS, Gate-Source Voltage(V)
5
0
0.0001 0.001
Transient Thermal Response Curves
0.01 0.1
Pulse Width(s)
1
10
D=0.5
0.2
0.1
0.1 0.05
1.RθJC(t)=r(t)*RθJC
2.Duty Factor, D=t1/t2
3.TJM-TC=PDM*RθJC(t)
4.RθJC=1.2 °C/W
0.02 Single Pulse
0.01
1.E-04
1.E-03
1.E-02
1.E-01
t1, Square Wave Pulse Duration(s)
1.E+00
1.E+01
MTB1D5N03H8
CYStek Product Specification

7페이지


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