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SP8M6 데이터시트 PDF




ROHM Semiconductor에서 제조한 전자 부품 SP8M6은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 SP8M6 자료 제공

부품번호 SP8M6 기능
기능 Switching Transistors
제조업체 ROHM Semiconductor
로고 ROHM Semiconductor 로고


SP8M6 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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SP8M6 데이터시트, 핀배열, 회로
Transistors
Switching
SP8M6
zFeatures
1) Low on-resistance.
2) Built-in G-S Protection Diode.
3) Small and Surface Mount Package (SOP8).
zApplication
Power switching, DC / DC converter.
SP8M6
zExternal dimensions (Unit : mm)
SOP8
5.0±0.2
0.2±0.1
0.4±0.1
1.27 0.1
Each lead has same dimensions
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Continuous
Pulsed
Source current
(Body diode)
Continuous
Pulsed
Total power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
1 Pw10µs, Duty cycle1%
2 MOUNTED ON A CERAMIC BOARD.
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDP
IS
ISP
PD
Tch
Tstg
Limits
Nchannel Pchannel
30 30
20 20
±5.0 ±3.5
±20 ±14
1.6 1.6
20 14
2
150
55 to +150
Unit
V
V
A
A 1
A
A 1
W 2
°C
°C
zEquivalent circuit
(8) (7) (6) (5) (8) (7) (6) (5)
2 2
(1) (2) (3) (4)
1 1
(1) (2) (3) (4)
1 ESD PROTECTION DIODE
2 BODY DIODE
(1) Tr1 (Nch) Source
(2) Tr1 (Nch) Gate
(3) Tr2 (Pch) Source
(4) Tr2 (Pch) Gate
(5) Tr2 (Pch) Drain
(6) Tr2 (Pch) Drain
(7) Tr1 (Nch) Drain
(8) Tr1 (Nch) Drain
A protection diode is included between the gate and
the source terminals to protect the diode against static
electricity when the product is in use. Use the protection
circuit when the fixed voltages are exceeded.
zThermal resistance (Ta=25°C)
Parameter
Channel to ambient
MOUNTED ON A CERAMIC BOARD.
Symbol
Rth (ch-a)
Limits
62.5
Unit
°C / W
Rev.A
1/5




SP8M6 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Transistors
N-ch
zElectrical characteristic curves
1000
Ta=25°C
f=1MHz
VGS=0V
100
Ciss
Coss
Crss
10
0.01 0.1
1
10 100
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS (V)
Fig.1 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
10000
1000 tf
100 td (off)
Ta=25°C
VDD=15V
VGS=10V
RG=10
Pulsed
10 tr
td (on)
1
0.01 0.1 1 10
DRAIN CURRENT : ID (A)
Fig.2 Switching Characteristics
SP8M6
10
Ta=25°C
9 VDD=15V
8
ID=5A
RG=10
7 Pulsed
6
5
4
3
2
1
0
012345678
TOTAL GATE CHARGE : Qg (nC)
Fig.3 Dynamic Input Characteristics
10
1 Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
0.1
VDS=10V
Pulsed
0.01
0.001
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS (V)
Fig.4 Typical Transfer Characteristics
300
Ta=25°C
Pulsed
250
200
ID=5A
ID=2.5A
150
100
50
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16
GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS (V)
Fig.5 Static Drain-Source
On-State Resistance vs.
Gate-Source Voltage
10
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
1 Ta= −25°C
VGS=0V
Pulsed
0.1
0.01
0.0 0.5 1.0 1.5
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : VSD (V)
Fig.6 Source Current vs.
Source-Drain Voltage
1000
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
100
VGS=10V
Pulsed
1000
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
100
VGS=4.5V
Pulsed
1000
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
100
VGS=4V
Pulsed
10 10 10
1
0.1 1 10
DRAIN CURRENT : ID (A)
Fig.7 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current (Ι)
1
0.1 1 10
DRAIN CURRENT : ID (A)
Fig.8 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current (ΙΙ)
1
0.1 1 10
DRAIN CURRENT : ID (A)
Fig.9 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current (ΙΙΙ)
Rev.A
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