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AME8843 데이터시트 PDF




AME에서 제조한 전자 부품 AME8843은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 AME8843 자료 제공

부품번호 AME8843 기능
기능 750mA CMOS LDO
제조업체 AME
로고 AME 로고


AME8843 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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AME8843 데이터시트, 핀배열, 회로
AME
AME8843
n General Description
The AME8843 family of positive, linear regulators fea-
ture low quiescent current (30µA typ.) with low dropout
voltage, making them ideal for battery applications. The
space-saving SOT-223 package is attractive for "Pocket"
and "Hand Held" applications.
These rugged devices have both Thermal Shutdown,
and Current Fold-back to prevent device failure under the
"Worst" operating conditions.
The AME8843 is stable with an output capacitance of
2.2µF or greater.
750mA CMOS LDO
n Functional Block Diagram
IN OUT
Overcurrent
Shutdown
Thermal
Shutdown
R1
AMP
n Features
l Very Low Dropout Voltage
l Guaranteed 750mA Output
l Accurate to within 1.5%
l 30µA Quiescent Current
l Over-Temperature Shutdown
l Current Limiting
l Short Circuit Current Fold-back
l Space-Saving SOT-223 Package
l Factory Pre-set Output Voltages
l Low Temperature Coefficient
l All AME's Lead Free Products Meet RoHS
Standards
n Applications
l Instrumentation
l Portable Electronics
l Wireless Devices
l Cordless Phones
l PC Peripherals
l Battery Powered Widgets
Vref=1.215V
R2
GND
n Typical Application
IN
IN AME8843 OUT
GND
C1
5V
1µF
OUT
C2
2.2µF
Rev. A.02
1




AME8843 pdf, 반도체, 판매, 대치품
AME
AME8843
750mA CMOS LDO
n Absolute Maximum Ratings
Parameter
Maximum
Unit
Input Voltage
-0.3 to +8
V
Output Voltage
-0.3 to VIN + 0.3
V
Output Current
PD / (VIN - VOUT)
mA
ESD Classification
B*
Caution: Stress above the listed absolute maximum rating may cause permanent damage to the device.
* HBM B:2000V~3999V
n Recommended Operating Conditions
Parameter
Ambient Temperature Range
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Symbol
TA
TJ
TSTG
Rating
- 40 to +85
- 40 to +125
- 65 to +150
Unit
oC
oC
oC
n Thermal Information
Parameter
Thermal Resistance*
( Junction to Case)
Thermal Resistance
( Junction to Ambient)
Package Die Attach Symbol Maximum
θJC 25
SOT-223 Conductive Epoxy
θJA
120
Internal Power Dissipation
PD 900
Maximum Junction Temperature
150
Solder Iron (10 Sec)**
* Measure θJC on backside center of tab.
** MIL-STD-202G 210F
350
Unit
oC / W
mW
oC
oC
4 Rev. A.02

4페이지










AME8843 전자부품, 판매, 대치품
AME
AME8843
Ground Current vs. Input Voltage
45
40
35 85 OC
30
25
O
20 25 C
15
10
5
0
0 1 2 3 45 6 7
Input Voltage (V)
8
Drop Out Voltage vs. Output Voltage
0.3
0.25 ILOAD=600mA
0.2
0.15
0.1
0.05
0
2 2.5
3 3.5 4 4.5
Output Voltage (V)
5
5.5
Safe Operating Area
750
500
75OC
rise
370
SOT-223
Rev. A.02
With HS capable of twice θjc
1.2 2 3
Input-Output Voltage Differential (V)
750mA CMOS LDO
Load Step (1mA-600mA)
µ
µ
TIME ( 20mS/DIV)
Power Supply Rejection Ratio
0
-10
-20
CL=2.2µF Tantalum
C BYP=0
-30
100mA
-40
-50 100mA
-60
10mA
-70
-80
10
100 µA
100 µ A
1K 100K
Frequency (Hz)
1mA
10M
Line Transient Response
C LOAD =2.2µF
I LOAD =1mA
V OUTDC =3.3V
V INDC =4.5V
TIME (200mS/DIV)
7

7페이지


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