|
|
PDF AW8010 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | AW8010 | |
| Descripción | Class D audio power amplifier | |
| Fabricantes | AWINIC | |
| Logotipo |  |
|
Hay una vista previa y un enlace de descarga de AW8010 (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 12 Páginas | ||
|
No Preview Available !
AW8010 产品手册
2009 年 9 月 V1.0
超低 EMI、3.0W、单声道、无需滤波器、D 类音频功率放大器
特性
概要
y EEE 技术，优异的全带宽 EMI 抑制能力
y 优异的“噼噗-咔嗒”（Pop-Click）杂音抑制
y 3.0W 输出功率（10% THD、5V 电源、4Ω 负载）
y 0.03%THD+N（0.5W 输出功率、5V 电源）
y 无需滤波器 Class-D 结构
y 高达 90%的效率
y 高 PSRR：-80dB（217Hz）
y 低静态电流（3mA）
y 低关断电流（<0.1μA）
y 工作电压范围：2.5V～5.5V
y 过流保护、过热保护、欠压保护
y 纤小的 1.45mm×1.45mm CSP9 封装
y 符合 RoHS 标准，无铅封装
应用
AW8010 是一款超低 EMI、3.0W、单声道、
无需滤波器的 D 类音频功率放大器。采用专有的
EEE (Enhanced Emission Elimination) 技术，在
全带宽范围内极大地降低了 EMI 干扰，对 60cm
的音频线，在 FCC 标准下具有超过 20dB 的裕量。
AW8010 无需滤波器的 PWM 调制结构减少
了外部元件、PCB 面积和系统成本，并且简化了
设计。高达 90%的效率更加适合于手机及其他便
携式音频产品。
AW8010 内置过流保护、过热保护及欠压保
护功能，有效地保护芯片在异常工作状况下不被
损坏。
AW8010 提供纤小 1.45mm×1.45mm CSP9
封装，额定的工作温度范围为-40℃至 85℃。
y 手机
y MP3/PMP
y GPS
y 数码相框
引脚分布及标识图
AW8010CSR TOP VIEW
（俯视图）
AW8010CSR MARKING
（器件标识图）
3 VON
GND
VOP
3
8010
2 GND
PVDD SHUTDOWN
2
XY
1 INP
AVDD
INN
1
ABC
ABC
8010–AW8010CSR
XY–生产跟踪码
图 1 AW8010 引脚分布及标识图
版权所有© 2009 上海艾为电子技术有限公司
第 1 页 共 12 页
1 page  
引脚定义及功能
序号
A1
A2
A3
B1
B2
B3
C1
C2
C3
符号
INP
GND
正相音频输入
地
VON
反相音频输出
AVDD
模拟电源
PVDD
功率电源
GND
地
INN 反相音频输入
SHUTDOWN
VOP
关断
正相音频输出
描述
AW8010 产品手册
2009 年 9 月 V1.0
版权所有© 2009 上海艾为电子技术有限公司
第 5 页 共 12 页
5 Page 
AW8010 产品手册
2009 年 9 月 V1.0
应用信息
电源去耦电容
电源端加适当的去耦电容可以确保芯片的高效
率及最佳的 THD 性能，同时为得到良好的高频瞬态
性能，希望电容的 ESR 值要尽量小。一般使用 1μF
的陶瓷电容将 VDD 旁路到地。去耦电容在布局上应
尽可能的靠近芯片的 VDD 放置。如果希望更好地滤
除低频噪声，则需要根据具体应用添加一个 10μF
或更大的去耦电容。
输入电阻
通过设定输入电阻可以设定系统的放大倍数，
如下式所示：
Gain
=
2 ×150 kΩ
Rin
⎜⎛
⎝
V
V
⎟⎞
⎠
两个输入电阻之间的良好匹配对提升芯片
PSRR、CMRR 及 THD 等性能都有帮助，因此要求
使用精度为 1%的电阻。PCB 布局时，电阻应紧靠
功放放置，可以防止噪声从高阻结点的引入。
输入电容
输入电阻和输入电容之间构成了一个高通滤波
器，其截止频率如下式所示：
fC
=
1
2 πRinCin
手机喇叭对低频信号的响应通常比较差，因此
可以选取比较大的 fC 以滤除 217Hz 噪声引入的干
扰。
电容之间良好的匹配对提升芯片整体性能和噼
噗咔嗒声抑制都有帮助，因此要求选取精度为 10%
或者更小的输入电容。
磁珠与电容
AW8010 在没有磁珠、电容的情况下，对 60cm
的音频线，仍可满足 FCC 标准要求。在输出音频线
过长或器件布局靠近 EMI 敏感设备时，建议使用磁
珠、电容。磁珠及电容要尽量靠近芯片放置。
VOP
磁珠
VON
磁珠
1nF
1nF
图 6 磁珠与电容
版权所有© 2009 上海艾为电子技术有限公司
第 11 页 共 12 页
11 Page | ||
| Páginas | Total 12 Páginas | |
| PDF Descargar | [ Datasheet AW8010.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| AW8010 | Class D audio power amplifier | AWINIC |
| AW8010A | Class D audio power amplifier | AWINIC |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares, |
| DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Buscar |