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DTD123Y PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 DTD123Y
기능 Bias Resistor Transistor NPN Silicon
제조업체 WEITRON
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DTD123Y 데이터시트, 핀배열, 회로
Bias Resistor Transistor NPN Silicon
P b Lead(Pb)-Free
1
BASE
R1
R2
COLLECTOR
3
2
EMITTER
DTD123Y
3
1
2
SOT-23
Absolute maximum ratings (TA = 25ºC)
Parameter
Supply voltage
Input voltage
Output current
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
Vcc
VIN
IC
Pd
Tj
Tstg
Limits
50
-5~+12
500
200
150
-55~+150
Unit
V
V
mA
mW
Electrical characteristics (TA = 25ºC)
Parameter
Symbol Min Typ Max Unit
Conditions
Input voltage
Output voltage
Input current
VI(off)
VI(on)
Vo(on)
II
-
2
-
-
- 0.3
--
0.1 0.3
- 3.6
V
V
mA
Vcc = 5V,Io = 100µA
Vo = 0.3V,Io = 20 mA
Io/II = 50 mA/2.5 mA
VI= 5V
Output current
Io(off) -
- 0.5 µA
Vcc = 50V,V I= 0V
DC current gain
Input resistance
h FE 56 -
-
R1 1.54 2.2 2.86
Vo = 5V,Io=50 mA
-
Resistance ratio
Transition frequency
R2/R1
fT
3.6 4.5 5.5
-
- 200 - MHZ VCE = 10V,I E = -500m A,f = 100MHZ*
* Transition frequency of the device
DEVICE MARKING : F62
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
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25-Apr-08






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