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FQU4N60 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FQU4N60은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FQU4N60 자료 제공

부품번호 FQU4N60 기능
기능 600V N-Channel MOSFET
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FQU4N60 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FQU4N60 데이터시트, 핀배열, 회로
FQU4N60
600V N-Channel MOSFET
Features
2.6A, 600V @TJ = 25°C
Typ. RDS(on) = 1.0Ω
Low gate charge (typical 12.8nC)
Low effective output capacitance (typ ical 32pF)
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
November 2002
QFET TM
Description
These N-Channel enhancement mode power field effect
transistors are produced using Fairchilds proprietary,
planar stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to
Minimize on-state resistance,provide superior switching
Performance, and withstand high energy pulse in the
Avalanche and commutation mode. These devices are well
Suited for high efficiency switch mode power supply,power
Factor correction, electronic lamp ballast on half bridge.
D
GDS
I-PAK
FQU Series
Absolute Maximum Ratings
Symbol
VDSS
ID
IDM
VGSS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
PD
TJ, TSTG
TL
Parameter
Drain-Source Voltage
Drain Current
- Continuous (TC = 25°C)
- Continuous (TC = 100°C)
Drain Current
- Pulsed
Gate-Source voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Power Dissipation
(TC = 25°C)
- Derate above 25°C
Operating and Storage Temperature Range
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,
1/8from Case for 5 Seconds
(Note 1)
(Note 2)
(Note 1)
(Note 1)
(Note 3)
Thermal Characteristics
Symbol
RθJC
RθJA
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
©2002Fairchild Semiconductor Corporation
FQU4N60 Rev. A
1
G
S
FQU4N60
600
2.6
1.64
11
± 30
180
2.6
4.5
4.5
50
0.4
-55 to +150
300
Unit
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/°C
°C
°C
FQU4N60
2.7
110
Unit
°C/W
°C/W
www.fairchildsemi.com




FQU4N60 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Performance Characteristics(Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
-100
*Notes :
1. VGS = 0 V
2. ID = 250μA
-50 0
50 100
TJ, Junction Temperature [ Cο ]
150
200
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
-50 0 50 100
TJ, Junction Temperature [ C]o
*Notes :
1. VGS = 10 V
2. ID = 2.0 A
150 200
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
10 1
10 0
10 -1
* Notes :
o1. TC = 25 C
2. TJ = 150 C o
3. Single Pulse
10 us
100 us
1 ms
10 ms
DC
10 0 10 1 10 2
VDS, Drain-Source Voltage [V]
10 3
4
3
2
1
0
25 50 75 100 125
TC, Case Temperature [ C]o
150
Figure 11-1. Transient Thermal Response Curve
FQU4N60 Rev. A
D = 0 .5
10 0
0 .2
0 .1
0 .0 5
10 -1
0 .0 2
0 .0 1
sin g le p u lse
* N o te s :
1 . Z θ J C (t) = 2 .5 Co/W M a x.
2 . D u ty F a c to r, D = t 1 /t 2
3 . T J M - T C = P D M * Z θ J C (t)
PDM
t1
t2
10 -2
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
t 1 , S q u a re W a ve P u ls e D u ra tio n [s e c ]
10 0
10 1
4
www.fairchildsemi.com

4페이지










FQU4N60 전자부품, 판매, 대치품
Package Dimensions
Mechanical Dimensions
(0.50)
6.60 ±0.20
5.34 ±0.20
(4.34)
IPAK
I-PAK
(0.50)
2.30 ±0.20
0.50 ±0.10
MAX0.96
0.76 ±0.10
2.30TYP
[2.30±0.20]
2.30TYP
[2.30±0.20]
0.50 ±0.10
FQU4N60 Rev. A
FQU4N60 Rev. B
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7

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