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MSN0675K 데이터시트 PDF




MORESEMI에서 제조한 전자 부품 MSN0675K은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MSN0675K 자료 제공

부품번호 MSN0675K 기능
기능 N-Channel Enhancement Mode Power MOS FET
제조업체 MORESEMI
로고 MORESEMI 로고


MSN0675K 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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MSN0675K 데이터시트, 핀배열, 회로
MSN0675K
60V(D-S) N-Channel Enhancement Mode Power MOS FET
General Features
VDS =60V,ID =75A
RDS(ON) < 11.5m@ VGS=10V
(Typ:9.1m)
High density cell design for ultra low Rdson
Fully characterized avalanche voltage and current
Good stability and uniformity with high EAS
Excellent package for good heat dissipation
Special process technology for high ESD capability
Application
Power switching application
Hard switched and high frequency circuits
Uninterruptible power supply
Lead Free
PIN Configuration
Marking and pin assignment
TO-220-3L top view
Schematic diagram
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
Device
Device Package
MSN0675K
MSN0675K
TO-220-3L
Reel Size
-
Tape width
-
Quantity
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Drain-Source Voltage
VDS
Gate-Source Voltage
VGS
Drain Current-Continuous
ID
Drain Current-Continuous(TC=100)
ID (100)
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
IDM
PD
Derating factor
Single pulse avalanche energy (Note 5)
EAS
Operating Junction and Storage Temperature Range
TJ,TSTG
Limit
60
±20
75
50
300
110
0.73
450
-55 To 175
Unit
V
V
A
A
A
W
W/
mJ
MORE Semiconductor Company Limited
http://www.moresemi.com
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MSN0675K pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Electrical and Thermal Characteristics (Curves)
MSN0675K
Vds Drain-Source Voltage (V)
Figure 1 Output Characteristics
TJ-Junction Temperature()
Figure 4 Rdson-JunctionTemperature
Vgs Gate-Source Voltage (V)
Figure 2 Transfer Characteristics
Qg Gate Charge (nC)
Figure 5 Gate Charge
ID- Drain Current (A)
Figure 3 Rdson- Drain Current
Vsd Source-Drain Voltage (V)
Figure 6 Source- Drain Diode Forward
MORE Semiconductor Company Limited
http://www.moresemi.com
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