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부품번호 | SCT2450KE 기능 |
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기능 | N-channel SiC power MOSFET | ||
제조업체 | ROHM Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 14 페이지수
SCT2450KE
N-channel SiC power MOSFET
Data Sheet
VDSS
RDS(on) (Typ.)
ID
PD
1200V
450mW
10A
85W
lFeatures
1) Low on-resistance
2) Fast switching speed
3) Fast reverse recovery
4) Easy to parallel
5) Simple to drive
6) Pb-free lead plating ; RoHS compliant
lApplication
• Solar inverters
• DC/DC converters
• Switch mode power supplies
• Induction heating
• Motor drives
lOutline
TO-247
lInner circuit
(1) (2) (3)
(1) Gate
(2) Drain
(3) Source
*1 Body Diode
lPackaging specifications
Packaging
Reel size (mm)
Tape width (mm)
Type
Basic ordering unit (pcs)
Packing code
Marking
Tube
-
-
30
C
SCT2450KE
lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)
Parameter
Drain - Source voltage
Continuous drain current
Tc = 25°C
Tc = 100°C
Pulsed drain current
Gate - Source voltage (DC)
Gate - Source surge voltage (Tsurge ˂ 300nsec)
Power dissipation (Tc = 25°C)
Junction temperature
Range of storage temperature
Symbol
VDSS
ID *1
ID *1
ID,pulse *2
VGSS
VGSS-surge*3
PD
Tj
Tstg
Value
1200
10
7
25
-6 to 22
-10 to 26
85
175
-55 to +175
Unit
V
A
A
A
V
V
W
°C
°C
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© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2015.11 - Rev.C
SCT2450KE
Data Sheet
lBody diode electrical characteristics (Source-Drain) (Ta = 25°C)
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Values
Typ.
Max.
Unit
Inverse diode continuous,
forward current
Inverse diode direct current,
pulsed
Forward voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Peak reverse recovery current
IS *1
ISM *2
Tc = 25°C
VSD *4
trr *4
Qrr *4
Irrm *4
VGS = 0V, IS = 3A
IF = 3A, VR = 400V
di/dt = 110A/s
- - 10 A
- - 25 A
- 4.3 -
V
- 19 - ns
- 13 - nC
- 1.4 -
A
lTypical Transient Thermal Characteristics
Symbol
Value
Unit
Rth1 230m
Rth2
687m
K/W
Rth3 441m
Symbol
Cth1
Cth2
Cth3
Value
219
1.29m
13.1m
Unit
Ws/K
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2015.11 - Rev.C
4페이지 SCT2450KE
lElectrical characteristic curves
Fig.8 Typical Transfer Characteristics (I)
10
VDS= 10V
Plused
1
0.1
0.01
Ta=150ºC
Ta=75ºC
Ta=25ºC
Ta= -25ºC
0.001
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Gate - Source Voltage : VGS [V]
Data Sheet
Fig.9 Typical Transfer Characteristics (II)
10
9 VDS= 10V
Plused
8
7
6
5
4
Ta=150ºC
3 Ta=75ºC
Ta=25ºC
2 Ta= -25ºC
1
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Gate - Source Voltage : VGS [V]
Fig.10 Gate Threshold Voltage
vs. Junction Temperature
5
4.5 VDS = 10V
ID = 1mA
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
-50 0 50 100 150 200
Junction Temperature : Tj [°C]
Fig.11 Transconductance vs. Drain Current
10
VDS= 10V
Plused
1
0.1
0.01
0.01
Ta=150ºC
Ta=75ºC
Ta=25ºC
Ta= -25ºC
0.1 1
Drain Current : ID [A]
10
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2015.11 - Rev.C
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