Datasheet.kr   

BSC025N03MSG 데이터시트 PDF




Infineon에서 제조한 전자 부품 BSC025N03MSG은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BSC025N03MSG 자료 제공

부품번호 BSC025N03MSG 기능
기능 Power-MOSFET
제조업체 Infineon
로고 Infineon 로고


BSC025N03MSG 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 10 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

BSC025N03MSG 데이터시트, 핀배열, 회로
BSC025N03MS G
OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET
Features
• Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)
• Low FOMSW for High Frequency SMPS
• 100% avalanche tested
Product Summary
V DS
R DS(on),max
ID
V GS=10 V
V GS=4.5 V
30 V
2.5 m
3
100 A
• N-channel
• Very low on-resistance R DS(on) @ V GS=4.5 V
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
• Qualified according to JEDEC1) for target applications
PG-TDSON-8
• Superior thermal resistance
• Pb-free plating; RoHS compliant
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
Type
Package
Marking
BSC025N03MS G
PG-TDSON-8 025N03MS
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Continuous drain current
I D V GS=10 V, T C=25 °C
V GS=10 V, T C=100 °C
Pulsed drain current3)
Avalanche current, single pulse4)
Avalanche energy, single pulse
Gate source voltage
1) J-STD20 and JESD22
V GS=4.5 V, T C=25 °C
V GS=4.5 V,
T C=100 °C
V GS=4.5 V, T A=25 °C,
R thJA=50 K/W2)
I D,pulse
I AS
E AS
V GS
T C=25 °C
T C=25 °C
I D=50 A, R GS=25
Value
100
93
100
85
23
400
50
135
±20
Unit
A
mJ
V
Rev. 1.15
page 1
2009-10-22




BSC025N03MSG pdf, 반도체, 판매, 대치품
1 Power dissipation
P tot=f(T C)
100
2 Drain current
I D=f(T C)
parameter: V GS
120
BSC025N03MS G
100
80
80
60
4.5 V
10 V
60
40
40
20
20
0
0 40 80 120
T C [°C]
3 Safe operating area
I D=f(V DS); T C=25 °C; D =0
parameter: t p
103
limited by on-state
resistance
102
1 µs
10 µs
100 µs
DC
101 1 ms
10 ms
100
10-1
10-1
Rev. 1.15
100 101
V DS [V]
0
160 0
40 80 120
T C [°C]
4 Max. transient thermal impedance
Z thJC=f(t p)
parameter: D =t p/T
10
160
1
0.5
0.2
0.1
0.1 0.05
0.02
0.01
single pulse
102
0.01 0
10-6
0
10-5
0
10-4
0
10-3
0
10-2
0
10-1
1
100
t p [s]
page 4
2009-10-22

4페이지










BSC025N03MSG 전자부품, 판매, 대치품
13 Avalanche characteristics
I AS=f(t AV); R GS=25
parameter: T j(start)
100
100 °C
25 °C
125 °C
10
14 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=30 A pulsed
parameter: V DD
12
BSC025N03MS G
15 V
10 6 V
24 V
8
6
4
1
1 10 100
t AV [µs]
15 Drain-source breakdown voltage
V BR(DSS)=f(T j); I D=1 mA
2
1000
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80
Q gate [nC]
16 Gate charge waveforms
34
V GS
32
30
28
26 V g s(th)
24
22 Q g(th)
20
-60 -20 20
60 100 140 180
T j [°C]
Rev. 1.15
page 7
Q gs
Qg
Q sw
Q gd
Q gate
2009-10-22

7페이지


구       성 총 10 페이지수
다운로드[ BSC025N03MSG.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
BSC025N03MSG

Power-MOSFET

Infineon
Infineon

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵