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IPW60R099CPA 데이터시트 PDF




Infineon에서 제조한 전자 부품 IPW60R099CPA은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IPW60R099CPA 자료 제공

부품번호 IPW60R099CPA 기능
기능 Power Transistor
제조업체 Infineon
로고 Infineon 로고


IPW60R099CPA 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 11 페이지수

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IPW60R099CPA 데이터시트, 핀배열, 회로
CoolMOSTM Power Transistor
Features
• Lowest figure-of-merit RON x Qg
• Ultra low gate charge
• Extreme dv/dt rated
• High peak current capability
• Automotive AEC Q101 qualified
• Green package (RoHS compliant)
CoolMOS CPA is specially designed for:
• DC/DC converters for Automotive Applications
Product Summary
V DS
R DS(on),max
Q g,typ
IPW60R099CPA
600 V
0.105 Ω
60 nC
PG-TO247-3
Type
IPW60R099CPA
Package
PG-TO247-3
Marking
6R099A
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
Pulsed drain current1)
Avalanche energy, single pulse
Avalanche
energy,
repetitive
t
1),2)
AR
Avalanche
current,
repetitive
t
1),2)
AR
MOSFET dv /dt ruggedness
Gate source voltage
Power dissipation
Operating temperature
Storage temperature
Mounting torque
Symbol Conditions
I D T C=25 °C
T C=100 °C
I D,pulse
E AS
E AR
T C=25 °C
I D=11 A, V DD=50 V
I D=11 A, V DD=50 V
I AR
dv /dt
V DS=0...480 V
V GS
P tot
static
T C=25 °C
Tj
T stg
M3 and M3.5 screws
Rev. 2.0
page 1
Value
31
19
93
800
1.2
11
50
±20
255
-40 ... 150
-40 ... 150
60
Unit
A
mJ
A
V/ns
V
W
°C
Ncm
2010-02-15




IPW60R099CPA pdf, 반도체, 판매, 대치품
1 Power dissipation
P tot=f(T C)
300
200
100
2 Safe operating area
I D=f(V DS); T C=25 °C; D =0
parameter: t p
102
limited by on-state
resistance
IPW60R099CPA
1 µs
10 µs
100 µs
101 1 ms
DC
10 ms
100
0
0 40 80 120
T C [°C]
3 Max. transient thermal impedance
ZthJC=f(tP)
parameter: D=t p/T
100
0.5
01.20-1
0.1
0.05
0.02
01.001-2 single pulse
10-3
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
t p [s]
10-1
160 100
101 102
V DS [V]
4 Typ. output characteristics
I D=f(V DS); T j=25 °C
parameter: V GS
120
20 V
105
103
10 V
8V
90 7 V
75
60
45
30
15
0
100 0
6V
5.5 V
5V
4.5 V
5 10 15
V DS [V]
20
Rev. 2.0
page 4
2010-02-15

4페이지










IPW60R099CPA 전자부품, 판매, 대치품
13 Typ. capacitances
C =f(V DS); V GS=0 V; f =1 MHz
105
14 Typ. Coss stored energy
E oss= f(V DS)
IPW60R099CPA
20
104
Ciss
103
Coss
102
16
12
8
101
100
0
Crss
100 200 300 400 500
V DS [V]
4
0
0 100 200 300 400 500 600
V DS [V]
Rev. 2.0
page 7
2010-02-15

7페이지


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