Datasheet.kr   

MDD1754 데이터시트 PDF




MagnaChip에서 제조한 전자 부품 MDD1754은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 MDD1754 자료 제공

부품번호 MDD1754 기능
기능 N-channel Trench MOSFET
제조업체 MagnaChip
로고 MagnaChip 로고


MDD1754 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 6 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

MDD1754 데이터시트, 핀배열, 회로
MDD1754
N-Channel Trench MOSFET, 40V, 20.5A, 27mΩ
General Description
The MDD1754 uses advanced MagnaChip’s Trench
MOSFET Technology to provided high performance in on-
state resistance, switching performance and reliability.
Low RDS(ON), Low Gate Charge can be offering superior
benefit in the application.
Features
VDS = 40V
ID=20.5A(VGS=10V)
RDS(ON)
<27mΩ @ VGS = 10V
<35mΩ @ VGS = 4.5V
Applications
Inverters
General purpose applications
D
G
S
Absolute Maximum Ratings (TC =25o)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Characteristics
(Note 2)
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Single Pulse Avalanche Energy
Junction and Storage Temperature Range
TC=25oC
TC=100oC
TC=25oC
TC=100oC
(Note 3)
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDM
PD
EAS
TJ, Tstg
Rating
40
±20
20.5
13
50
16.7
6.7
18
-55~+150
Thermal Characteristics
Characteristics
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1)
Symbol
RθJA
RθJC
Rating
60
7.5
Unit
V
V
A
A
A
W
mJ
oC
Unit
oC/W
Aug 2008. Version 1.0
1 MagnaChip Semiconductor Ltd.




MDD1754 pdf, 반도체, 판매, 대치품
10
Note : ID = 8A
8
VDS = 28V
6
4
2
0
0 2 4 6 8 10
QG, Total Gate Charge [nC]
Fig.7 Gate Charge Characteristics
12
103
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
102
101
100
10 µs
100 µs
1 ms
10 ms
100 ms
DC
10-1
10-2
10-1
Single Pulse
RthJC=7.5/W
TC=25
100 101
VDS, Drain-Source Voltage [V]
102
Fig.9 Maximum Safe Operating Area
100
D=0.5
0.2
0.1
10-1 0.05
0.02
single pulse
0.01
Notes :
Duty Factor, D=t1/t2
PEAK TJ = PDM * Zθ JC* Rθ JC(t) + TC
RΘ JC=7.5/W
10-2
10-4
10-3 10-2 10-1 100
t1, Rectangular Pulse Duration [sec]
101
Fig.11 Transient Thermal Response Curve
800.0p
600.0p
400.0p
Ciss
Ciss = Cgs + Cgd (Cds = shorted)
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
200.0p
Coss
Crss
Notes ;
1. VGS = 0 V
2. f = 1 MHz
0.0
0 10 20 30
VDS, Drain-Source Voltage [V]
Fig.8 Capacitance Characteristics
24
20
16
12
8
4
0
25 50 75 100 125 150
TC, Case Temperature []
Fig.10 Maximum Drain Current vs. Case
Temperature
Aug 2008. Version 1.0
4 MagnaChip Semiconductor Ltd.

4페이지












구       성 총 6 페이지수
다운로드[ MDD1754.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
MDD1752

N-Channel Trench MOSFET

MagnaChip Semiconductor
MagnaChip Semiconductor
MDD1754

N-channel Trench MOSFET

MagnaChip
MagnaChip

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵