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MDU1722 데이터시트 PDF




MagnaChip에서 제조한 전자 부품 MDU1722은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MDU1722 자료 제공

부품번호 MDU1722 기능
기능 Single N-channel Trench MOSFET
제조업체 MagnaChip
로고 MagnaChip 로고


MDU1722 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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MDU1722 데이터시트, 핀배열, 회로
MDU1722
Single N-channel Trench MOSFET 40V, 100A, 2.2mΩ
General Description
The MDU1722 uses advanced MagnaChips MOSFET
Technology, which provides high performance in on-state
resistance, fast switching performance and excellent
quality. MDU1722 is suitable device for Synchronous
Rectification For Server and general purpose applications.
Features
VDS = 40V
ID = 100A @VGS = 10V
RDS(ON)
< 2.2mΩ @VGS = 10V
100% UIL Tested
100% Rg Tested
DD DD
DD DD
D
S SSG
GS SS
PDFN56
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25oC)
Characteristics
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (1)
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Single Pulse Avalanche Energy (2)
TC=25oC (Silicon Limited)
TC=25oC (Package Limited)
TC=100oC
TA=25oC(3)
TC=25oC
TC=100oC
TA=25oC(3)
Junction and Storage Temperature Range
Thermal Characteristics
Characteristics
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (1)
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Dec. 2013. Rev. 1.1
1
G
S
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDM
PD
EAS
TJ, Tstg
Rating
40
±20
142.4
100.0
90.1
26.3(3)
400
73.6
29.5
2.5(3)
200.0
-55~150
Unit
V
V
A
W
mJ
oC
Symbol
RθJA
RθJC
Rating
50
1.7
Unit
oC/W
MagnaChip Semiconductor Ltd.




MDU1722 pdf, 반도체, 판매, 대치품
10
Note : ID = 50A
VDS = 20V
8
6
4
2
0
0 10 20 30 40 50 60
QG, Total Gate Charge [nC]
Fig.7 Gate Charge Characteristics
70
103
102
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
101
100
10-1
10-1
Single Pulse
TJ=Max rated
T =25
C
100 101
VDS, Drain-Source Voltage [V]
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10s
DC
102
Fig.9 Maximum Safe Operating Area
101
D=0.5
100
0.2
0.1
10-1 0.05
0.02
0.01
10-2
single pulse
10-3
10-4
10-3
Notes :
Duty Factor, D=t1/t2
PEAK TJ = PDM * Zθ JC* Rθ JC(t) + TC
10-2 10-1 100 101
t1, Rectangular Pulse Duration [sec]
102
103
Fig.11 Transient Thermal Response
Curve
Dec. 2013. Rev. 1.1
4
6000
5000
4000
Ciss
Ciss = Cgs + Cgd (Cds = shorted)
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
3000
2000
Coss
1000
Crss
Notes ;
1. VGS = 0 V
2. f = 1 MHz
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40
VDS, Drain-Source Voltage [V]
Fig.8 Capacitance Characteristics
160
140
120
100
80
60
40
20
0
25
50 75 100 125
TC, Case Temperature []
150
Fig.10 Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
MagnaChip Semiconductor Ltd.

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