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RU1H150R 데이터시트 PDF




Ruichips에서 제조한 전자 부품 RU1H150R은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 RU1H150R 자료 제공

부품번호 RU1H150R 기능
기능 N-Channel Advanced Power MOSFET
제조업체 Ruichips
로고 Ruichips 로고


RU1H150R 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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RU1H150R 데이터시트, 핀배열, 회로
RU1H150R
N-Channel Advanced Power MOSFET
Features
• 100V/150A,
RDS (ON) =3.5m(Typ.)@VGS=10V
• Advanced SGT MOSFET Technology
• Ultra Low On-Resistance
• Excellent QgxRDS(on) Product
• 100% avalanche tested
• 175°C Operating Temperature
• Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)
Applications
• Motor Drives
• Uninterruptible Power Supplies
• DC/DC converter
• General Purpose Applications
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
Common Ratings (TC=25°C Unless Otherwise Noted)
VDSS
VGSS
TJ
TSTG
IS
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Maximum Junction Temperature
Storage Temperature Range
Diode Continuous Forward Current
Mounted on Large Heat Sink
IDP
300μs Pulse Drain Current Tested
IDContinuous Drain Current(VGS=10V)
PD Maximum Power Dissipation
RJC Thermal Resistance-Junction to Case
RJA Thermal Resistance-Junction to Ambient
Drain-Source Avalanche Ratings
EAS
Avalanche Energy, Single Pulsed
Pin Description
GDS
TO220
D
G
S
N-Channel MOSFET
Rating
Unit
TC=25°C
100
±20
175
-55 to 175
150
V
°C
°C
A
TC=25°C
TC=25°C
TC=100°C
TC=25°C
TC=100°C
600
150
106
288
144
0.52
62.5
A
A
W
°C/W
°C/W
625 mJ
Ruichips Semiconductor Co., Ltd
Rev. A– OCT., 2015
1
www.ruichips.com




RU1H150R pdf, 반도체, 판매, 대치품
RU1H150R
Typical Characteristics
Power Dissipation
350
300
250
200
150
100
50
0
0 25 50 75 100 125 150 175
TJ - Junction Temperature (°C)
10000
1000
100
Safe Operation Area
10µs
100µs
1ms
10ms
10 DC
1
0.1 TC=25°C
0.01 0.1
1
10 100
VDS - Drain-Source Voltage (V)
Drain Current
160
140
120
100
80
60
40 Limited By Package
20
0 VGS=10V
25 50 75 100 125 150
TJ - Junction Temperature (°C)
175
Drain Current
30
25 IDS=75A
20
15
10
5
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
VGS - Gate-Source Voltage (V)
Thermal Transient Impedance
Duty=0.5, 0.2, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, Single Pulse
1
0.1
0.01
0.001
1E-05
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
Square Wave Pulse Duration (sec)
RθJC=0.52°C/W
1
Ruichips Semiconductor Co., Ltd
Rev. A– OCT., 2015
4
www.ruichips.com

4페이지










RU1H150R 전자부품, 판매, 대치품
Package Information
TO220
Q
L2
D1
L1
1
θ
1
θ
RU1H150R
2
θ
SYMBOL
MIN
A 4.30
A1 1.15
A2 1.90
b 0.60
b2 1.17
c 0.40
D 15.40
D1 8.96
DEP *
E 9.66
E1 *
E2 9.80
MM
NOM
4.54
1.30
2.25
0.80
1.28
0.50
15.70
9.21
*
9.97
8.70
10.00
MAX
4.77
1.40
2.60
1.00
1.72
0.60
16.00
9.46
0.30
10.28
*
10.20
MIN
0.169
0.045
0.075
0.024
0.046
0.016
0.606
0.353
*
0.380
*
0.386
INCH
NOM
0.179
0.051
0.089
0.031
0.050
0.020
0.618
0.363
*
0.393
0.343
0.394
MAX
0.188
0.055
0.102
0.039
0.068
0.024
0.630
0.372
0.012
0.405
*
0.402
SYMBOL
MIN
Φp1 1.40
e
e1
H1 6.30
L 12.70
L1 *
L2
Φp 3.50
Q 2.70
θ1
θ2
MM
NOM
1.50
2.54 BSC
5.08 BSC
MAX
1.60
6.50 6.80
13.18 13.65
* 3.95
2.50 REF
3.60 3.75
2.80 3.20
7° 9°
3° 5°
MIN
0.055
0.248
0.500
*
0.138
0.106
INCH
NOM MAX
0.059 0.063
0.10 BSC
0.20 BSC
0.256 0.268
0.519 0.537
* 0.156
0.098 REF
0.142 0.148
0.110 0.126
7° 9°
3° 5°
Ruichips Semiconductor Co., Ltd
Rev. A– OCT., 2015
7
www.ruichips.com

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