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MDV1527 데이터시트 PDF




MagnaChip에서 제조한 전자 부품 MDV1527은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MDV1527 자료 제공

부품번호 MDV1527 기능
기능 N-Channel Trench MOSFET
제조업체 MagnaChip
로고 MagnaChip 로고


MDV1527 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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MDV1527 데이터시트, 핀배열, 회로
MDV1527
Single N-channel Trench MOSFET 30V, 20A, 15.9mΩ
General Description
The MDV1527 uses advanced MagnaChips MOSFET
Technology, which provides high performance in on-state
resistance, fast switching performance and excellent
quality. MDV1527 is suitable for DC/DC converter and
general purpose applications.
Features
VDS = 30V
ID = 20A @VGS = 10V
RDS(ON)
< 15.9m@VGS = 10V
< 23.7m@VGS = 4.5V
100% UIL Tested
100% Rg Tested
DD DD
DD DD
D
S SSG
GS SS
PDFN33
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25oC)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Characteristics
Continuous Drain Current (1)
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Single Pulse Avalanche Energy (2)
Junction and Storage Temperature Range
TC=25oC (Silicon limited)
TC=25oC (Package limited)
TC=70oC
TA=25oC
TA=70oC
TC=25oC
TC=70oC
TA=25oC
TA=70oC
Thermal Characteristics
Characteristics
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (1)
Thermal Resistance, Junction-to-Case
G
S
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDM
PD
EAS
TJ, Tstg
Rating
30
±20
29.0
20
20
11.0(3)
8.8(3)
60
23.5
15.0
3.4(3)
2.2(3)
23
-55~150
Unit
V
V
A
A
W
mJ
oC
Symbol
RθJA
RθJC
Rating
36
5.3
Unit
oC/W
May. 2011. Version1.2
1 MagnaChip Semiconductor Ltd.




MDV1527 pdf, 반도체, 판매, 대치품
20
4.5V 4.0V
5.0V
15
8.0V
V = 10V
GS
3.5V
10
5
3.0V
0
0.0 0.5 1.0 1.5
VDS, Drain-Source Voltage [V]
Fig.1 On-Region Characteristics
2.0
1.8
VGS=10V
1.6 ID=8A
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-50
-25
0 25 50 75 100 125 150
TJ, Junction Temperature [oC]
Fig.3 On-Resistance Variation with
Temperature
30
25
VGS = 4.5V
20
15
VGS = 10V
10
5
5 10 15 20
ID, Drain Current [A]
Fig.2 On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage
40
Notes :
ID = 8.0A
30
20
TA = 25
10
0
2 4 6 8 10
VGS, Gate to Source Volatge [V]
Fig.4 On-Resistance Variation with
Gate to Source Voltage
16
Notes :
VDS = 5V
12
8
TA=25
4
0
01234
VGS, Gate-Source Voltage [V]
Fig.5 Transfer Characteristics
5
Notes :
VGS = 0V
101
100
TA=25
10-1
0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
VSD, Source-Drain voltage [V]
Fig.6 Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current and
Temperature
May. 2011. Version1.2
4 MagnaChip Semiconductor Ltd.

4페이지










MDV1527 전자부품, 판매, 대치품
DISCLAIMER:
The Products are not designed for use in hostile environments, including, without limitation, aircraft, nuclear power
generation, medical appliances, and devices or systems in which malfunction of any Product can reasonably be
expected to result in a personal injury. Seller’s customers using or selling Seller’s products for use in such
applications do so at their own risk and agree to fully defend and indemnify Seller.
MagnaChip reserves the right to change the specifications and circuitry without notice at any time. MagnaChip does not consider responsibility
for use of any circuitry other than circuitry entirely included in a MagnaChip product.
is a registered trademark of MagnaChip
Semiconductor Ltd.
May. 2011. Version1.2
7 MagnaChip Semiconductor Ltd.

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