Datasheet.kr   

MDF4N60D 데이터시트 PDF




MagnaChip에서 제조한 전자 부품 MDF4N60D은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MDF4N60D 자료 제공

부품번호 MDF4N60D 기능
기능 N-Channel Trench MOSFET
제조업체 MagnaChip
로고 MagnaChip 로고


MDF4N60D 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 6 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

MDF4N60D 데이터시트, 핀배열, 회로
MDF4N60D
N-Channel MOSFET 600V, 4.0A, 2.2Ω
General Description
These N-channel MOSFET are produced using advanced
MagnaChip’s MOSFET Technology, which provides low on-
state resistance, high switching performance and excellent
quality.
These devices are suitable device for SMPS, high Speed
switching and general purpose applications.
Features
VDS = 600V
ID = 4.0A
RDS(ON) ≤ 2.2Ω
@ VGS = 10V
@ VGS = 10V
Applications
Power Supply
PFC
High Current, High Speed Switching
D
TO-220F
MDF Series
G
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25oC)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Characteristics
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current(1)
Power Dissipation
Repetitive Avalanche Energy(1)
Peak Diode Recovery dv/dt(3)
Single Pulse Avalanche Energy(4)
Junction and Storage Temperature Range
* Id limited by maximum junction temperature
TC=25oC
TC=100oC
TC=25oC
Derate above 25 oC
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDM
PD
EAR
dv/dt
EAS
TJ, Tstg
Thermal Characteristics
Characteristics
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient(1)
Thermal Resistance, Junction-to-Case(1)
Symbol
RθJA
RθJC
Mar. 2012 Version 1.0
1
S
Rating
600
±30
4.0*
2.53*
16*
34.7
0.28
3.47
4.5
170
-55~150
Unit
V
V
A
A
A
W
W/ oC
mJ
V/ns
mJ
oC
Rating
62.5
3.6
Unit
oC/W
MagnaChip Semiconductor Ltd.




MDF4N60D pdf, 반도체, 판매, 대치품
10 Note : ID = 4.0A
8
6
120V
300V
480V
4
2
0
0 2 4 6 8 10 12
QG, Total Gate Charge [nC]
Fig.7 Gate Charge Characteristics
14
16
102
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
101
100
100 µs
1 ms
10 ms
100 ms
1s
DC
10-1
Single Pulse
TJ=Max rated
TC=25
10-2
10-1 100 101 102
VDS, Drain-Source Voltage [V]
Fig.9 Maximum Safe Operating Area
10000
8000
6000
single Pulse
RthJC = 3.6/W
TC = 25
4000
2000
0
1E-5 1E-4 1E-3 0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Fig.11 Single Pulse Maximum Power
Dissipation
1200
1000
800
600
Coss
Ciss
Ciss = Cgs + Cgd (Cds = shorted)
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
400
Crss
200
Notes ;
1. VGS = 0 V
2. f = 1 MHz
0
1 10
VDS, Drain-Source Voltage [V]
Fig.8 Capacitance Characteristics
D=0.5
100
0.2
0.1
0.05
10-1
10-2
10-5
0.02
0.01
single pulse
Notes :
Duty Factor, D=t1/t2
PEAK TJ = PDM * Zθ JC* Rθ JC(t) + TC
RΘ JC=3.6/W
10-4 10-3 10-2 10-1 100
t1, Rectangular Pulse Duration [sec]
101
Fig.10 Transient Thermal Response Curve
6
4
2
0
25 50 75 100 125 150
TC, Case Temperature []
Fig.12 Maximum Drain Current vs. Case
Temperature
Mar. 2012 Version 1.0
4 MagnaChip Semiconductor Ltd.

4페이지












구       성 총 6 페이지수
다운로드[ MDF4N60D.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
MDF4N60

N-Channel MOSFET

MagnaChip
MagnaChip
MDF4N60B

N-Channel Trench MOSFET

MagnaChip
MagnaChip

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵