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MDU1535 데이터시트 PDF




MagnaChip에서 제조한 전자 부품 MDU1535은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MDU1535 자료 제공

부품번호 MDU1535 기능
기능 N-Channel MOSFET
제조업체 MagnaChip
로고 MagnaChip 로고


MDU1535 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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MDU1535 데이터시트, 핀배열, 회로
MDU1535
Single N-channel Trench MOSFET 30V
General Description
The MDU1535 uses advanced MagnaChips MOSFET
Technology, which provides high performance in on-state
resistance, fast switching performance and excellent
quality. MDU1535 is suitable device for DC/DC Converter
and general purpose applications.
Features
VDS = 30V
ID = 32A @VGS = 10V
RDS(ON)
< 8.0 mΩ @VGS = 10V
< 10.5 mΩ @VGS = 4.5V
100% UIL Tested
100% Rg Tested
DD DD
DD DD
D
S SSG
GS SS
G
PDFN56
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25oC)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Characteristics
Continuous Drain Current (1)
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Single Pulse Avalanche Energy (2)
Junction and Storage Temperature Range
TC=25oC (Silicon Limited)
TC=25oC (Package Limited)
TA=25oC
TA=70oC
TC=25oC
TA=25oC
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDM
PD
EAS
TJ, Tstg
S
Rating
30
±20
53
32
20
17
120
36
5.5
61
-55~150
Unit
V
V
A
W
mJ
oC
Thermal Characteristics
Characteristics
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (1)
Thermal Resistance, Junction-to-Case
May. 2014. Ver. 0.0
Symbol
RθJA
RθJC
Rating
22.7
3.4
Unit
oC/W
1 MagnaChip Semiconductor Ltd.




MDU1535 pdf, 반도체, 판매, 대치품
10
Note : ID = 20A
VDS = 15V
8
6
4
2
0
0 5 10 15
Q , Total Gate Charge [nC]
G
Fig.7 Gate Charge Characteristics
20
2000
1500
Ciss
Ciss = Cgs + Cgd (Cds = shorted)
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
1000
500
Coss
Notes ;
1. VGS = 0 V
2. f = 1 MHz
Crss
0
0 5 10 15 20 25 30
VDS, Drain-Source Voltage [V]
Fig.8 Capacitance Characteristics
103
102 1 ms
101
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
DC
100
10-1
10-1
Single Pulse
TJ=Max Rated
TC=25
100 101
VDS, Drain-Source Voltage [V]
10 ms
100 ms
1s
10 s
102
Fig.9 Maximum Safe Operating Area
101
60
50
40
30 Limited by Package
20
10
0
25 50 75 100 125 150
TC, Case Temperature []
Fig.10 Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
100 D=0.5
0.2
0.1
10-1 0.05
0.02
0.01
10-2
single pulse
10-3
10-4
10-3
Notes :
Duty Factor, D=t1/t2
PEAK TJ = PDM * Zθ JC* Rθ JC(t) + TC
10-2 10-1 100 101
t1, Rectangular Pulse Duration [sec]
102
103
Fig.11 Transient Thermal Response
Curve
May. 2014. Ver. 0.0
4
MagnaChip Semiconductor Ltd.

4페이지












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다운로드[ MDU1535.PDF 데이터시트 ]

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