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MDU1531 데이터시트 PDF




MagnaChip에서 제조한 전자 부품 MDU1531은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 MDU1531 자료 제공

부품번호 MDU1531 기능
기능 N-Channel MOSFET
제조업체 MagnaChip
로고 MagnaChip 로고


MDU1531 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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MDU1531 데이터시트, 핀배열, 회로
MDU1531
Single N-channel Trench MOSFET 30V
General Description
The MDU1531 uses advanced MagnaChips MOSFET
Technology, which provides high performance in on-state
resistance, fast switching performance and excellent
quality. MDU1531 is suitable device for DC/DC Converter
and general purpose applications.
Features
VDS = 30V
ID = 64A @VGS = 10V
RDS(ON)
< 2.4 mΩ @VGS = 10V
< 3.3 mΩ @VGS = 4.5V
100% UIL Tested
100% Rg Tested
DD DD
DD DD
D
S SSG
GS SS
G
PDFN56
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25oC)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Characteristics
Continuous Drain Current (1)
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Single Pulse Avalanche Energy (2)
Junction and Storage Temperature Range
TC=25oC (Silicon Limited)
TC=25oC (Package Limited)
TA=70oC (Silicon Limited)
TA=25oC
TA=70oC
TC=25oC
TC=70oC
TA=25oC
TA=70oC
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDM
PD
EAS
TJ, Tstg
Thermal Characteristics
Characteristics
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (1)
Thermal Resistance, Junction-to-Case
May. 2015. Ver. 1.0
Symbol
RθJA
RθJC
1
S
Rating
30
±20
163
64
130
42
33
256
83
53
5.5
3.5
57
-55~150
Unit
V
V
A
W
mJ
oC
Rating
22.7
1.5
Unit
oC/W
MagnaChip Semiconductor Ltd.




MDU1531 pdf, 반도체, 판매, 대치품
10
Note : ID = 28A
VDS = 15V
8
6
4
2
0
0 10 20 30 40 50 60
QG, Total Gate Charge [nC]
Fig.7 Gate Charge Characteristics
70
103
102
Operation in This Area
101 is Limited by R DS(on)
100
10-1
10-1
Single Pulse
TJ=Max Rated
TC=25
100 101
VDS, Drain-Source Voltage [V]
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
102
Fig.9 Maximum Safe Operating Area
101
100
D=0.5
0.2
10-1 0.1
0.05
0.02
0.01
10-2
single pulse
10-3
10-4
10-3
Notes :
Duty Factor, D=t1/t2
PEAK TJ = PDM * Zθ JC* Rθ JC(t) + TC
10-2 10-1 100 101
t1, Rectangular Pulse Duration [sec]
102
103
Fig.11 Transient Thermal Response
Curve
5000
4000
Ciss
Ciss = Cgs + Cgd (Cds = shorted)
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
3000
2000
1000
0
0
Coss
Notes ;
1. VGS = 0 V
2. f = 1 MHz
Crss
5 10 15 20 25
VDS, Drain-Source Voltage [V]
30
Fig.8 Capacitance Characteristics
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
25
Limited by Package
50 75 100 125
TC, Case Temperature []
150
Fig.10 Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
May. 2015. Ver. 1.0
4 MagnaChip Semiconductor Ltd.

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