Datasheet.kr   

SLW24N50C 데이터시트 PDF




Maple Semiconductor에서 제조한 전자 부품 SLW24N50C은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 SLW24N50C 자료 제공

부품번호 SLW24N50C 기능
기능 N-Channel MOSFET
제조업체 Maple Semiconductor
로고 Maple Semiconductor 로고


SLW24N50C 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 6 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

SLW24N50C 데이터시트, 핀배열, 회로
SLW24N50C
500V N-Channel MOSFET
General Description
This Power MOSFET is produced using Maple semi‘s
advanced planar stripe DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored
to minimize on-state resistance, provide superior switching
performance, and withstand high energy pulse in the
avalanche and commutation mode. These devices are well
suited for high efficiency switched mode power supplies,
active power factor correction based on half bridge topology.
Features
- 25A, 500V, RDS(on)typ. = 167mΩ@VGS = 10 V
- Low gate charge ( typical 96nC)
- High ruggedness
- Fast switching
- 100% avalanche tested
- Improved dv/dt capability
D
GDS
TO-3P
Absolute Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
VDSS
ID
IDM
VGSS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
PD
TJ, TSTG
TL
Drain-Source Voltage
Drain Current
Drain Current
- Continuous (TC = 25)
- Continuous (TC = 100)
- Pulsed
(Note 1)
Gate-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
Avalanche Current
(Note 1)
Repetitive Avalanche Energy
(Note 1)
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3)
Power Dissipation (TC = 25)
- Derate above 25
Operating and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8" from case for 5 seconds
* Drain current limited by maximum junction temperature.
G
S
SLW24N50C
500
25.0
15.2
101
±30
628
25
32.06
4.5
320
2.57
-55 to +150
300
Thermal Characteristics
Symbol
RθJC
RθJS
RθJA
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
SLW24N50C
0.39
0.5
62.5
Units
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/
Units
/W
/W
/W
Maple Semiconductor CO., LTD
http://www.maplesemi.com
Rev. 00 January. 2015




SLW24N50C pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics (Continued)
1.2
1.1
1.0
0.9 Notes :
1. VGS = 0 V
2. ID = 250 μ A
0.8
-100
-50 0 50 100 150
TJ, Junction Temperature [oC]
200
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Operation in This Area
102 is Limited by R DS(on)
100 us
1 ms
101 10 ms
100 ms
DC
100
Notes :
10-1 1. TC = 25 oC
2. TJ = 150 oC
3. Single Pulse
10-2
100
101 102
VDS, Drain-Source Voltage [V]
103
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
Notes :
1. VGS = 10 V
2. ID = 12 A
0.0
-100
-50 0 50 100 150
TJ, Junction Temperature [oC]
200
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
24
20
16
12
8
4
0
25 50 75 100 125 150
TC, Case Temperature []
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
D=0.5
10-1 0.2
0.1
0.05
0.02
10-2 0.01
single pulse
Notes :
1. Zθ JC(t) = 0.39 /W Max.
2. Duty Factor, D=t1/t2
3. TJM - TC = PDM * Zθ JC(t)
PDM
t1
t2
10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101
t1, Square Wave Pulse Duration [sec]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
Maple Semiconductor CO., LTD
http://www.maplesemi.com
Rev. 00 January. 2015

4페이지












구       성 총 6 페이지수
다운로드[ SLW24N50C.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
SLW24N50C

N-Channel MOSFET

Maple Semiconductor
Maple Semiconductor

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵