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SLW60R070SJ 데이터시트 PDF




Maple Semiconductor에서 제조한 전자 부품 SLW60R070SJ은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 SLW60R070SJ 자료 제공

부품번호 SLW60R070SJ 기능
기능 N-Channel MOSFET
제조업체 Maple Semiconductor
로고 Maple Semiconductor 로고


SLW60R070SJ 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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SLW60R070SJ 데이터시트, 핀배열, 회로
General Description
This Power MOSFET is producFeeadtuurseisng Maple semi‘s
Advanced Super-Junction
This advanced technology
theacsh--nb7Lo.oe6wlAeo,gng5a0ytee0. Vsch,paRerDgcSe(oi(na)ttlyylppy. i=cat0al .5i2lΩo5@nrCeV)dGS
=
10
V
to minimize conduction loss, pr-oHvigihdreugsguedpneesrsior switching
performance, and withstand hig-- F1h0a0set%nswaevitracghlaiynngcpheutlessetedin the
avalanche and commutation m-oImdpero.ved dv/dt capability
These devices are well suited for AC/DC power conversion
SLW60R070SJ
600V N-Channel MOSFET
Features
-47A, 600V, RDS(on) typ.= 60mΩ@VGS = 10 V
- Low gate charge ( typical
- High ruggedness
- Fast switching
- 100% avalanche tested
- Improved dv/dt capability
170nC)
D
TO‐247
TO‐3P
G
S
Absolute Maximum Ratings
TC = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
VDSS
Drain-Source Voltage
ID Drain Current
- Continuous (TC = 25)
- Continuous (TC = 100)
IDM Drain Current - Pulsed
(Note 1)
VGSS Gate-Source Voltage
EAS
Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
IAR Avalanche Current
(Note 1)
EAR
Repetitive Avalanche Energ
(Note 1)
dv/dt
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3)
PD Power Dissipation (TC = 25)
- Derate above 25
TJ, TSTG Operating and Storage Temperature Range
TL Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8" from case for 5 seconds
*Drain current limited by maximum junction temperature.
SLW60R070SJ
600
47
29
140
±30
1135
9.3
1.72
50
391
3.13
-55 to +150
300
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
RθJC
RθJS
RθJA
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Maple Semiconductor CO.,LTD
http://www.maplesemi.com
Value
0.32
0.5
62
Rev 1.0 September 2015
Units
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/
Unit
s
/W
/W
/W
Page1




SLW60R070SJ pdf, 반도체, 판매, 대치품
ID=f(VDS); Tj=125 ; parameter: VGS
Figure5Typ. output characteristics Tj=25
RDS(on)=f(ID); Tj=125 ; parameter:VGS
Figure6Typ. drain-source on-state resistance
RDS(on)=f(Tj); ID=23 A; VGS=10 V
Figure7Typ. drain-source on-state resistance
ID=f(VGS); VDS=40V
Figure8Typ. transfer characteristics
Maple Semiconductor CO.,LTD
http://www.maplesemi.com
Rev 1.0 September 2015
Page4

4페이지










SLW60R070SJ 전자부품, 판매, 대치품
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Current Regulator
50KΩ
Same Type
as DUT
12V 200nF
300nF
VGS
VDS
3mA
DUT
R1 R2
Current Sampling (IG) Current Sampling (ID)
Resistor
Resistor
VGS
10V
Qgs
Qg
Qgd
Charge
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
10V
Vout
Vin
RG
RL
VDD
( 0.5 rated VDS )
DUT
Vout
90%
Vin 10%
td(on)
tr
t on
td(off) tf
t off
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
Vary tp to obtain
required peak ID
VDS
RG
10V
tp
LL
ID
DUT
C
EAS =
--1--
2
LL IAS2
BVDSS
--------------------
BVDSS -- VDD
BVDSS
IAS
VDD
VDD
ID (t)
VDS (t)
t p Time
Maple Semiconductor CO.,LTD
http://www.maplesemi.com
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