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DG20N50 데이터시트 PDF




DGME에서 제조한 전자 부품 DG20N50은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 DG20N50 자료 제공

부품번호 DG20N50 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
제조업체 DGME
로고 DGME 로고


DG20N50 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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DG20N50 데이터시트, 핀배열, 회로
DG20N50
N 沟道增强型场效应晶体管
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
版本号:V1.0
产品概述 General Description
DG20N50N沟道增强型场效应晶体管,应用了东光微电的相关专利技术,采用自对准平
面工艺及先进的终端耐压技术,降低了导通损耗,提高了开关特性,增强了雪崩耐量。该
产品能应用于多种功率开关电路,使得电源能效更高,系统更加小型化。
DG15N60 is an N-channel enhancement mode MOSFET, which is produced using Dongguang Micro-electronics’s
proprietary. The self-aligned planar process and improved terminal technology reduce the conduction loss, improve
switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching
circuit for higher efficiency and system miniaturization.
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
VDSS
ID
RDS(ON)
Crss
500
20
0.23
27
V
A
pF
符号 Symbol
封装 Package
1 /8




DG20N50 pdf, 반도체, 판매, 대치품
开关特性 Switching Characteristics
参数名称
Parameter
符号
Symbol
延迟时间Turn-On delay time
td(on)
测试条件
Tests Conditions
最小
Min
-
典型
Type
95
最大
Max Unit
200 ns
上升时间Turn-On rise time
延迟时间Turn-Off delay time
tr
td(off)
VDD=250V, ID=20A, RG=25Ω
note 45
-
-
375 760 ns
100 210 ns
下降时间Turn-Off Fall time
tf
- 105 220 ns
栅极电荷总量Total Gate Charge
栅-源电荷Gate-Source charge
栅-漏电荷Gate-Drain charge
Qg
Qgs
VDS =400V , ID=20A, VGS =10V
note 45
Qgd
-
-
-
45.6 59.5 nC
14.8 - nC
21.6 - nC
-源二极管特性及最大额定值
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
参数名称
Parameter
符号
Symbol
测试条件
Tests Conditions
最小
Min
典型
Type
最大
Max Unit
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain-Source
Diode Forward Current
IS
- - 20 A
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source Diode
Forward Current
ISM
- - 80 A
正向压降
Drain-Source Diode Forward Voltage
VSD
VGS=0V, IS=20A
- - 1.5 V
反向恢复时间
Reverse recovery time
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
trr
VGS=0V, IS=20A
- 507 - ns
Qrr dIF/dt=100A/µs (note 4) - 7.2 - µC
注释:
1:脉冲宽度由最高结温限制
2L=4mH, IAS=20A, VDD=50V, RG=25 Ω, 起始结温TJ=25
3ISD 20A, di/dt 300A/µs, VDDBVDSS, 起始结温TJ=25
4:脉冲测试:脉冲宽度≤300µs,占空比≤2
5:基本与工作温度无关
Notes:
1Pulse width limited by maximum junction temperature
2L=4mH, IAS=20A, VDD=50V, RG=25Ω, Starting TJ=25
3ISD 20A, di/dt 300A/µs, VDDBVDSS, Starting TJ=25
4Pulse Test: Pulse Width 300µs, Duty Cycle2
5Essentially independent of operating temperature
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4페이지










DG20N50 전자부품, 판매, 대치품
测试电路及波形 TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS
11. 开关特性测试
Fig.11 Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
12. 栅电荷测试
Fig.12 Gate Charge Test Circuit & Waveform
13. 雪崩能量测试
Fig.13 Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
7 /8

7페이지


구       성 총 8 페이지수
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