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부품번호 | DG20N50 기능 |
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기능 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | ||
제조업체 | DGME | ||
로고 | |||
DG20N50
N 沟道增强型场效应晶体管
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
版本号:V1.0
产品概述 General Description
DG20N50是N沟道增强型场效应晶体管,应用了东光微电的相关专利技术,采用自对准平
面工艺及先进的终端耐压技术,降低了导通损耗,提高了开关特性,增强了雪崩耐量。该
产品能应用于多种功率开关电路,使得电源能效更高,系统更加小型化。
DG15N60 is an N-channel enhancement mode MOSFET, which is produced using Dongguang Micro-electronics’s
proprietary. The self-aligned planar process and improved terminal technology reduce the conduction loss, improve
switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching
circuit for higher efficiency and system miniaturization.
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
VDSS
ID
RDS(ON)
Crss
500
20
0.23
27
V
A
Ω
pF
符号 Symbol
封装 Package
1 /8
开关特性 Switching Characteristics
参数名称
Parameter
符号
Symbol
延迟时间Turn-On delay time
td(on)
测试条件
Tests Conditions
最小
Min
-
典型
Type
95
最大
单
位
Max Unit
200 ns
上升时间Turn-On rise time
延迟时间Turn-Off delay time
tr
td(off)
VDD=250V, ID=20A, RG=25Ω
(note 4,5)
-
-
375 760 ns
100 210 ns
下降时间Turn-Off Fall time
tf
- 105 220 ns
栅极电荷总量Total Gate Charge
栅-源电荷Gate-Source charge
栅-漏电荷Gate-Drain charge
Qg
Qgs
VDS =400V , ID=20A, VGS =10V
(note 4,5)
Qgd
-
-
-
45.6 59.5 nC
14.8 - nC
21.6 - nC
漏-源二极管特性及最大额定值
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
参数名称
Parameter
符号
Symbol
测试条件
Tests Conditions
最小
Min
典型
Type
最大
单
位
Max Unit
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain-Source
Diode Forward Current
IS
- - 20 A
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source Diode
Forward Current
ISM
- - 80 A
正向压降
Drain-Source Diode Forward Voltage
VSD
VGS=0V, IS=20A
- - 1.5 V
反向恢复时间
Reverse recovery time
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
trr
VGS=0V, IS=20A
- 507 - ns
Qrr dIF/dt=100A/µs (note 4) - 7.2 - µC
注释:
1:脉冲宽度由最高结温限制
2:L=4mH, IAS=20A, VDD=50V, RG=25 Ω, 起始结温TJ=25℃
3:ISD ≤20A, di/dt ≤300A/µs, VDD≤BVDSS, 起始结温TJ=25℃
4:脉冲测试:脉冲宽度≤300µs,占空比≤2%
5:基本与工作温度无关
Notes:
1:Pulse width limited by maximum junction temperature
2:L=4mH, IAS=20A, VDD=50V, RG=25Ω, Starting TJ=25℃
3:ISD ≤20A, di/dt ≤300A/µs, VDD≤BVDSS, Starting TJ=25℃
4:Pulse Test: Pulse Width ≤300µs, Duty Cycle≤2%
5:Essentially independent of operating temperature
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4페이지 测试电路及波形 TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS
图11. 开关特性测试
Fig.11 Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
图12. 栅电荷测试
Fig.12 Gate Charge Test Circuit & Waveform
图13. 雪崩能量测试
Fig.13 Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
DG20N50 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | DGME |
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