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DG630 데이터시트 PDF




DGME에서 제조한 전자 부품 DG630은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 DG630 자료 제공

부품번호 DG630 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
제조업체 DGME
로고 DGME 로고


DG630 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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DG630 데이터시트, 핀배열, 회로
DG630
N 沟道增强型场效应晶体管
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
版本号:V1.0
产品概述 General Description
DG630N沟道增强型场效应晶体管,应用了东光微电的相关专利技术,采用自对准平面工
艺及先进的终端耐压技术,降低了导通损耗,提高了开关特性,增强了雪崩耐量。该产品
能应用于多种功率开关电路,使得电源能效更高,系统更加小型化。
DG630 is an N-channel enhancement mode MOSFET, which is produced using Dongguang Micro-
electronics’s proprietary. The self-aligned planar process and improved terminal technology reduce
the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The
transistor can be used in various power switching circuit for higher efficiency and system
miniaturization.
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
VDSS
ID
RDS(ON)
Crss
200
9.0
0.4
18
V
A
pF
符号 Symbol
封装 Package
1 /8




DG630 pdf, 반도체, 판매, 대치품
开关特性 Switching Characteristics
参数名称
Parameter
符号
Symbol
延迟时间Turn-On delay time
td(on)
测试条件
Tests Conditions
上升时间Turn-On rise time
延迟时间Turn-Off delay time
tr
td(off)
VDD=100V, ID=9A, RG=25Ω
note 45
最小 典型 最大 单位
Min Type Max Unit
- 25 60 ns
- 58 125 ns
- 75 160 ns
下降时间Turn-Off Fall time
tf
- 58 125 ns
栅极电荷总量Total Gate Charge
栅-源电荷Gate-Source charge
栅-漏电荷Gate-Drain charge
Qg -
Qgs
VDS =160V , ID=9A, VGS =10V
note 45
-
Qgd -
30 35 nC
3.8 - nC
14 - nC
-源二极管特性及最大额定值
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
参数名称
符号
测试条件
最小 典型 最大 单位
Parameter
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain-Source
Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source Diode
Forward Current
Symbol
Tests Conditions
IS
ISM
Min Type Max Unit
- - 9.0 A
- - 36 A
正向压降
Drain-Source Diode Forward Voltage
VSD
VGS=0V, IS=9A
- - 1.5 V
反向恢复时间
Reverse recovery time
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
trr - 340 - ns
VGS=0V, IS=9A
dIF/dt=100A/µs (note 4)
Qrr - 2.7 - µC
注释:
1:脉冲宽度由最高结温限制
2L=3mH, IAS=9A, VDD=50V, RG=25 Ω, 起始结温TJ=25
3ISD 9A, di/dt 300A/µs, VDDBVDSS, 起始结温TJ=25
4:脉冲测试:脉冲宽度≤300µs,占空比≤2
5:基本与工作温度无关
4 /8
Notes:
1Pulse width limited by maximum junction temperature
2L=3mH, IAS=9A, VDD=50V, RG=25Ω, Starting TJ=25
3ISD 9A, di/dt 300A/µs, VDDBVDSS, Starting TJ=25
4Pulse Test: Pulse Width 300µs, Duty Cycle2
5Essentially independent of operating temperature

4페이지










DG630 전자부품, 판매, 대치품
测试电路及波形 TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS
11. 开关特性测试
Fig.11 Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
12. 栅电荷测试
Fig.12 Gate Charge Test Circuit & Waveform
13. 雪崩能量测试
Fig.13 Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
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7페이지


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