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부품번호 | WFP10N60 기능 |
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기능 | N-Channel MOSFET | ||
제조업체 | Wisdom technologies | ||
로고 | |||
HIGH VOLTAGE N-Channel MOSFET
WFP10N60
600V N-Channel MOSFET
Features
□ Low Intrinsic Capacitances
□ Excellent Switching Characteristics
□ Extended Safe Operating Area
□ Unrivalled Gate Charge :Qg= 33nC (Typ.)
□ BVDSS=600V,ID=10A
□ RDS(on) :0.73 Ω (Max) @VG=10V
□ 100% Avalanche Tested
GDS
D
!
●
◀▲
G!
●
●
!
S
TO‐220
G‐Gate,D‐Drain,S‐Sourse
Absolute Maximum Ratings Tc=25℃ unless other wise noted
Symbol
VDSS
ID
VGS
EAS
IAR
PD
TJ,TSTG
TL
Parameter
Drain-Sourse Voltage
Drain Current
-continuous (Tc=25℃)
-continuous (Tc=100℃)
Gate-Sourse Voltage
Single Plused Avanche Energy (Note1)
Avalanche Current
(Note2)
Power Dissipation (Tc=25℃)
Operating and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering
purpose,1/8” from case for 5 seconds
WFP10N60
600
10
3.4
±30
520
10
156
-55 ~ +150
300
Units
V
A
A
V
mJ
A
W
℃
℃
Thermal Characteristics
Symbol
RθJC
RθCS
RθJA
Parameter
Thermal Resistance,Junction to Case
Thermal Resistance,Case to Sink
Thermal Resistance,Junction to Ambient
Typ.
--
0.5
--
Max
0.8
--
62.5
Units
℃/W
℃/W
℃/W
www.wisdom-technologie s.com
Rev.A0,August , 2010 |
1
Typical Characteristics (Continued)
HIGH VOLTAGE N-Channel MOSFET
1.2
1.1
1.0
0.9 ※Notes :
1.
2.
IVDG=S =2500Vμ
A
0.8
-100
-50 0
50 100 150
TJ, Junction Temperature [oC]
200
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
102
101
100
10-1
100
Operation inThis Area
is Limitedby RDS(on)
10 µs
100 µs
1 ms
10 ms
100 ms
DC
※ Notes :
1. TC = 25oC
2. TJ = 150oC
3. SinglePulse
101 102
VDS, Drain-Source Voltage [V]
103
Figure 9-1. Maximum Safe Operating Area
for WFP10N60
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
※ Notes :
1. V = 10 V
GS
2. I = 4.75 A
D
-50 0 50 100 150
TJ, Junction Temperature [oC]
200
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
10
8
6
4
2
0
25 50 75 100 125 150
TC, Case Temperature [℃]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
100
D = 0.5
1 0 -1
0 .2
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
1 0 -2
sin g le p u lse
※ N o te s :
1. Zθ
(t)
JC
=
0.8
℃ /W
M ax.
2 . D uty F a ctor, D = t /t
12
3.
T
JM
-
T
C
=
P
DM
*
Zθ
(t)
JC
PDM
t1
t2
1 0 -5
1 0 -4
1 0 -3
1 0 -2
1 0 -1
100
t , S qu a re W a ve P u lse D u ratio n [sec]
1
101
Figure 11-1. Transient Thermal Response Curve for WFP10N60
www.wisdom-technologies. com
Rev.A0,August , 2010 |
4
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