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TSA60R280S1 데이터시트 PDF




Truesemi에서 제조한 전자 부품 TSA60R280S1은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 TSA60R280S1 자료 제공

부품번호 TSA60R280S1 기능
기능 N-Channel MOSFET
제조업체 Truesemi
로고 Truesemi 로고


TSA60R280S1 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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TSA60R280S1 데이터시트, 핀배열, 회로
TSA60R280S1
600V 15A N-Channel SJ-MOSFET
General Description
Truesemi SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family
that is utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding
low on-resistance and lower gate charge performance.
This advanced technology has been tailored to minimize conduction
loss, provide superior switching performance, and withstand
extreme dv/dt rate and higher avalanche energy.
SJ-FET is suitable for various AC/DC power conversion in
switching mode operation for higher efficiency.
Features
• 650V @TJ = 150
• Typ. RDS(on) = 0.24Ω
• Ultra Low gate charge (typ. Qg = 43nC)
• 100% avalanche tested
Absolute Maximum Ratings
Symbol
VDSS
ID
IDM
VGSS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
Parameter
Drain-Source Voltage
Drain Current -Continuous (TC = 25)
-Continuous (TC = 100)
Drain Current Pulsed
(Note 1)
Gate-Source voltage
Single Pulsed Avalanche Energy (Note 2)
Avalanche Current
(Note 1)
Repetitive Avalanche Energy (Note 1)
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3)
PD
TJ, TSTG
TL
Power Dissipation (TC = 25)
Operating and Storage Temperature
Range
Maximum Lead Temperature for Soldering
Purpose,1/8” from Case for 5 Seconds
* Drain current limited by maximum junction temperature.
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
RθJC Thermal Resistance, Junction-to-Case
RθCS Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.
RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
© 2015 Truesemi Semiconductor Corporation
Value
600
15
9.4
45
±30
284
2.4
0.43
15
104
-55 to +150
300
Value
1.2
0.5
62
Unit
V
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
Unit
/W
/W
/W
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TSA60R280S1 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Performance Characteristics
Typ. output
characteristics Tj=25
Typ. output
characteristics Tj=125
ID=f(VDS); Tj=25 ; parameter: VGS
ID=f(VDS); Tj=125 ; parameter: VGS
Typ. drain-source on-state resistance
Typ. drain-source on-state resistance
RDS(on)=f(ID); Tj=125 ;
parameter:VGS
© 2015 Truesemi Semiconductor Corporation
RDS(on)=f(Tj); ID=6.5 A; VGS=10 V
4
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TSA60R280S1 전자부품, 판매, 대치품
Test circuits
Switching times test circuit and waveform for inductive load
Switching times test circuit for inductive load
Switching time waveform
Switching times test
circuit for inductive
load
Unclamped inductive load test circuit and waveform
Unclamped inductive load test circuit
Unclamped inductive waveform
© 2015 Truesemi Semiconductor Corporation
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