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TSA9N90M 데이터시트 PDF




Truesemi에서 제조한 전자 부품 TSA9N90M은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 TSA9N90M 자료 제공

부품번호 TSA9N90M 기능
기능 N-Channel MOSFET
제조업체 Truesemi
로고 Truesemi 로고


TSA9N90M 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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TSA9N90M 데이터시트, 핀배열, 회로
TSA9N90M
900V N-Channel MOSFET
General Description
This Power MOSFET is produced using Truesemi‘s
advanced planar stripe DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to
minimize on-state resistance, provide superior switching
performance, and withstand high energy pulse in the
avalanche and commutation mode. These devices are well
suited for high efficiency switched mode power supplies,
active power factor correction based on half bridge
topology.
Features
• 9.0A,900V,Max.RDS(on)=1.40Ω @ VGS =10V
• Low gate charge(typical 52nC)
• High ruggedness
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability
Absolute Maximum Ratings TC=25unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Value
VDSS
VGS
ID
IDM
EAS
EAR
IAR
PD
TJ, TSTG
TL
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current
Pulsed Drain Current
TC = 25
TC = 100
(Note 1)
Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
Repetitive Avalanche Energy
(Note 1)
Repetitive Avalanche current
(Note 1)
Power Dissipation (TC = 25)
Operating and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8” from case for 5 seconds
900
± 30
9.0
5.7
36
900
13
9
130
-55 to +150
300
Thermal Resistance Characteristics
Symbol
RθJC
RθJA
Parameter
Thermal Resistance,Junction-to-Case
Thermal Resistance,Junction-to-Ambient
Typ.
--
--
Max.
0.96
40
Units
V
V
A
A
A
mJ
mJ
A
W
Units
/W
/W
© 2015 Truesemi Semiconductor Corporation
Ver.B1
www.truesemi.com




TSA9N90M pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics
© 2015 Truesemi Semiconductor Corporation
Ver.B1
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TSA9N90M 전자부품, 판매, 대치품
Package Dimension
TO-3P
© 2015 Truesemi Semiconductor Corporation
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