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HFU5N70S 데이터시트 PDF




SemiHow에서 제조한 전자 부품 HFU5N70S은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 HFU5N70S 자료 제공

부품번호 HFU5N70S 기능
기능 N-Channel MOSFET
제조업체 SemiHow
로고 SemiHow 로고


HFU5N70S 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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HFU5N70S 데이터시트, 핀배열, 회로
Jan 2013
HFD5N70S / HFU5N70S
700V N-Channel MOSFET
BVDSS = 700 V
RDS(on) typ ȍ
ID = 3.8 A
FEATURES
‰ Originative New Design
‰ Superior Avalanche Rugged Technology
‰ Robust Gate Oxide Technology
‰ Very Low Intrinsic Capacitances
‰ Excellent Switching Characteristics
‰ Unrivalled Gate Charge : 10.5 nC (Typ.)
‰ Extended Safe Operating Area
‰ Lower RDS(ON) ȍ 7\S #9GS=10V
‰ 100% Avalanche Tested
D-PAK I-PAK
2
1
3
HFD5N70S
1
2
3
HFU5N70S
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings TC=25unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Value
VDSS
ID
IDM
VGS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
Drain-Source Voltage
Drain Current
Drain Current
Drain Current
– Continuous (TC = 25)
– Continuous (TC = 100͚͑
– Pulsed
(Note 1)
Gate-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
Avalanche Current
(Note 1)
Repetitive Avalanche Energy
(Note 1)
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3)
700
3.8
2.2
15.2
ρ30
160
3.8
9.1
4.5
PD
TJ, TSTG
TL
Power Dissipation (TA = 25) *
Power Dissipation (TC = 25)
- Derate above 25
Operating and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8” from case for 5 seconds
2.5
91
0.73
-55 to +150
300
Units
9
$
$
$
9
P-
$
P-
9QV
:
:
:ഒ
ഒ
ഒ
Thermal Resistance Characteristics
Symbol
RșJC
RșJA
RșJA
Junction-to-Case
Parameter
Junction-to-Ambient*
Junction-to-Ambient
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)
Typ.
--
--
--
Max.
1.37
50
110
Units
ഒ:
క͑΄Ͷ;ͺ͹΀Έ͑΃Ͷ·͟Ͳ͡͝ͻΒΟ͑ͣͤ͑͢͡




HFU5N70S pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics (continued)
1.2
1.1
1.0
0.9 * Note :
1. VGS = 0 V
2. I = 250 PA
D
0.8
-100 -50 0 50 100 150 200
TJ, Junction Temperature [oC]
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
10 Ps
101
100 Ps
1 ms
10 ms
100 ms
100 DC
10-1
100
* Notes :
1. TC = 25 oC
2. TJ = 150 oC
3. Single Pulse
101
102
103
VDS, Drain-Source Voltage [V]
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
* Note :
1. VGS = 10 V
2. ID = 1.9 A
-50 0 50 100 150
T , Junction Temperature [oC]
J
200
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
4
3
2
1
0
25 50 75 100 125
TC, Case Temperature [oC]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
150
100
D=0.5
0.2
10-1
0.1
0.05
* Notes :
1. ZTJC(t) = 1.37 oC/W Max.
2. Duty Factor, D=t /t
12
3. TJM - TC = PDM * ZTJC(t)
0.02
0.01
10-2
10-5
PDM
single pulse
10-4
10-3
10-2
t1
t2
10-1
100
t1, Square Wave Pulse Duration [sec]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
101
క͑΄Ͷ;ͺ͹΀Έ͑΃Ͷ·͟Ͳ͡͝ͻΒΟ͑ͣͤ͑͢͡

4페이지










HFU5N70S 전자부품, 판매, 대치품
Package Dimension
{vTY\YG
6.6±0.2
5.35±0.15
2.3±0.1
0.5±0.05
0.8±0.2
0.6±0.2
2.3typ
2.3typ
1.2±0.3
0.05+-00..015
0.5+-00..015
క͑΄Ͷ;ͺ͹΀Έ͑΃Ͷ·͟Ͳ͡͝ͻΒΟ͑ͣͤ͑͢͡

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