Datasheet.kr   

HTP4A60H 데이터시트 PDF




SemiHow에서 제조한 전자 부품 HTP4A60H은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 HTP4A60H 자료 제공

부품번호 HTP4A60H 기능
기능 TRIAC
제조업체 SemiHow
로고 SemiHow 로고


HTP4A60H 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 6 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

HTP4A60H 데이터시트, 핀배열, 회로
HTP4A60H/HTP4A80H
3 Quadrants Standard TRIAC
FEATURES
Repetitive Peak Off-State Voltage : 600V/800V
R.M.S On–State Current (IT(RMS) = 4A)
Gate Trigger Current : 25mA
High commutation capability.
VDRM = 600V/800V
IT(RMS) = 4 A
ITSM = 42 A
IGT = 25mA
Symbol
TO-220
Applications
General purpose of AC switching, heating control, motor control,
Humidifier, etc
General Description
Semihow’s standard TRIAC product is a glass passivated device,
has a high commutative performance, stable gate triggering level to
temperature and high off state voltage. It is generally suitable for
power and phase control in ac application
T1
T2
G
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
VDRM
VRRM
IT(AV)
IT(RMS)
Repetitive Peak Off-State Voltage
Repetitive Peak Reverse Voltage
Average On-State Current
R.M.S. On-State Current
ITSM Surge On-State Current
(TJ=25unless otherwise specified )
Conditions
Ratings
HTP4A60H HTP4A80H
Sine wave, 50/60Hz, Gate open
600
600
800
800
Full sine wave, TC = 102oC
3.6
4
½ cycle, 50Hz/60Hz, Sine wave,
Non repetitive
40/42
Unit
V
V
A
A
A
I2t Fusing Current
t = 10ms
8.8 A2S
PGM
Forward Peak Gate Power
Dissipation
TJ = 125 °C
5W
PG(AV)
Forward Average Gate Power
Dissipation
IFGM
VRGM
TJ
TSTG
Forward Peak Gate Current
Reverse Peak Gate Voltage
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
TJ = 125 °C, over any 20ms
TJ = 125 °C, pulse width ≤ 20us
TJ = 125 °C, pulse width ≤ 20us
0.5 W
2
5
-40~+150
-40~+150
A
V
oC
oC
SEMIHOW REV.A1,March 2013




HTP4A60H pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics
2
1
101
0
-50 -25
0 25 50 75 100 125 150
Junction Temperature, TJ [oC]
Fig 7. Holding current vs.
Junction temperature
102
100
10-2
10-1 100
Pulse Time [sec]
101
Fig 8. Thermal Impedance vs. pulse time
101 150oC
25oC
100
RS=0.008
VTO=1.15V
10-1
0
1234
Instantaneou on state voltage, V [V]
T
5
Fig 9. Instantaneous on state current vs.
Instantaneous on state voltage
Measurement of gate trigger current
RL RL RL RL
RG
VDD
RG
VDD
RG
VDD
RG
VDD
VG VG VG VG
(1) Quadrant I
(2) Quadrant II
(3) Quadrant III
(4) Quadrant IV
Note. Whole parameter and test condition can not be over absolute maximum ratings in this datasheet.
SEMIHOW REV.A1,March 2013

4페이지












구       성 총 6 페이지수
다운로드[ HTP4A60H.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
HTP4A60H

TRIAC

SemiHow
SemiHow
HTP4A60S

TRIAC

SemiHow
SemiHow

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵