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HTP12A60H 데이터시트 PDF




SemiHow에서 제조한 전자 부품 HTP12A60H은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 HTP12A60H 자료 제공

부품번호 HTP12A60H 기능
기능 TRIAC
제조업체 SemiHow
로고 SemiHow 로고


HTP12A60H 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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HTP12A60H 데이터시트, 핀배열, 회로
HTP12A60H/HTP12A80H
3 Quadrants Standard TRIAC
FEATURES
Repetitive Peak Off-State Voltage : 600V/800V
R.M.S On–State Current (IT(RMS) = 12A)
Gate Trigger Current : 35mA
High commutation capability.
VDRM = 600V/800V
IT(RMS) = 12 A
ITSM = 126 A
IGT = 35mA
Symbol
TO-220
Applications
General purpose of AC switching, heating control, motor control, etc
T1
T2
G
General Description
Semihow’s standard TRIAC product is a glass passivated device,
has a high commutative performance, stable gate triggering level to
temperature and high off state voltage. It is generally suitable for
power and phase control in ac application
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
VDRM
VRRM
IT(AV)
IT(RMS)
Repetitive Peak Off-State Voltage
Repetitive Peak Reverse Voltage
Average On-State Current
R.M.S. On-State Current
ITSM Surge On-State Current
(TJ=25unless otherwise specified )
Conditions
Ratings
Unit
HTP12A60H HTP12A80H
Sine wave, 50/60Hz, Gate open
600
600
800 V
800 V
Full sine wave, TC = 85.7oC
10.8 A
12 A
½ cycle, 50Hz/60Hz, Sine wave,
Non repetitive
120/126
A
I2t Fusing Current
t = 10ms
72 A2S
PGM
Forward Peak Gate Power
Dissipation
TJ = 125 °C
5W
PG(AV)
Forward Average Gate Power
Dissipation
IFGM
VRGM
TJ
TSTG
Forward Peak Gate Current
Reverse Peak Gate Voltage
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
TJ = 125 °C, over any 20ms
TJ = 125 °C, pulse width ≤ 20us
TJ = 125 °C, pulse width ≤ 20us
0.5 W
2
5
-40~+150
-40~+150
A
V
oC
oC
SEMIHOW REV.A1,March 2013




HTP12A60H pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics
2
101
1 100
0
-50 -25
0 25 50 75 100 125 150
Junction Temperature, T [oC]
J
Fig 7. Holding current vs.
Junction temperature
102
10-1
10-2
10-1 100
Pulse Time [sec]
101
Fig 8. Thermal Impedance vs. pulse time
101 150oC
25oC
100
RS=0.035
VTO=0.85V
10-1
0
123
Instantaneou on state voltage, VT [V]
4
Fig 9. Instantaneous on state current vs.
Instantaneous on state voltage
Measurement of gate trigger current
RL RL RL RL
RG
VDD
RG
VDD
RG
VDD
RG
VDD
VG VG VG VG
(1) Quadrant I
(2) Quadrant II
(3) Quadrant III
(4) Quadrant IV
Note. Whole parameter and test condition can not be over absolute maximum ratings in this datasheet.
SEMIHOW REV.A1,March 2013

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